[发明专利]非易失性半导体存储装置

权利要求书

1.一种非易失性半导体存储装置，其特征在于，至少包括：

一存储器单元形成部，在一方向上延伸设置，并且存储器栅极沿长度方向延伸设置；及另一存储器单元形成部，在一方向上延伸设置，并且存储器栅极沿长度方向延伸设置，所述一存储器单元形成部和所述另一存储器单元形成部以预定距离并行配置在半导体基板上，

所述一存储器单元形成部和所述另一存储器单元形成部分别包括：

第一选择栅极构造体，在所述半导体基板的阱上夹着第一选择栅极绝缘膜具有第一选择栅极；

第二选择栅极构造体，在所述阱上夹着第二选择栅极绝缘膜具有第二选择栅极；及

存储器栅极构造体，在所述第一选择栅极构造体与所述第二选择栅极构造体之间夹着侧壁隔板设置，并且在所述阱上依次层叠下部栅极绝缘膜、电荷存储层、上部栅极绝缘膜及所述存储器栅极，

在所述一存储器单元形成部的长度方向端部与所述另一存储器单元形成部的长度方向端部之间，具有选择栅极非形成区域，在所述选择栅极非形成区域没有形成有所述第一选择栅极和所述第二选择栅极，通过所述存储器栅极连接所述一存储器单元形成部的长度方向端部和所述另一存储器单元形成部的长度方向端部，

在所述一存储器单元形成部和所述另一存储器单元形成部的所述存储器栅极，在第一侧壁侧分别设置有所述第一选择栅极，所述第一侧壁侧是在由所述一存储器单元形成部、所述另一存储器单元形成部及所述选择栅极非形成区域包围的区域围绕的内周壁，

所述第一选择栅极构造体是配置在所述存储器栅极构造体与所述阱的源极区域之间的所述阱上的源极侧选择栅极构造体，

所述第二选择栅极构造体是配置在所述存储器栅极构造体与所述阱的漏极区域之间的所述阱上的漏极侧选择栅极构造体，

所述第一选择栅极分别是所述一存储器单元形成部的源极侧选择栅极和所述另一存储器单元形成部的源极侧选择栅极。

2.根据权利要求1所述的非易失性半导体存储装置，其特征在于，

在所述一存储器单元形成部的第一选择栅极与所述另一存储器单元形成部的第一选择栅极之间，设置有形成pin接合结构、nin接合结构、pip接合结构、npn接合结构或pnp接合结构的选择栅极阻断部。

3.根据权利要求1或2所述的非易失性半导体存储装置，其特征在于，

在所述一存储器单元形成部和所述另一存储器单元形成部，在所述存储器栅极上设置有盖膜，

在所述选择栅极非形成区域，在所述存储器栅极上设置有存储器栅极连接器，而在所述存储器栅极上没有形成有所述盖膜。