[发明专利]有机电子元件的制造方法及基板干燥方法在审
申请号: | 201680036240.4 | 申请日: | 2016-06-21 |
公开(公告)号: | CN107710875A | 公开(公告)日: | 2018-02-16 |
发明(设计)人: | 佐佐修一;森岛进一;赤対真人 | 申请(专利权)人: | 住友化学株式会社 |
主分类号: | H05B33/10 | 分类号: | H05B33/10;F26B3/30;F26B15/12;H01L51/50;H05B33/02 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人: | 葛凡 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 电子元件 制造 方法 干燥 | ||
1.一种有机电子元件的制造方法,是具有有机功能层的有机电子元件的制造方法,该制造方法具备:
基板干燥工序,加热包含水分的塑料基板而使之干燥;以及
元件主体形成工序,在所述基板干燥工序中被干燥了的所述塑料基板上形成包含所述有机功能层的元件主体,
在所述基板干燥工序中通过向所述塑料基板照射红外线而利用所述红外线加热所述塑料基板,
在所述红外线的发射光谱中,第一波长范围1.2μm~5.0μm的积分值大于第二波长范围5.0μm~10.0μm的积分值。
2.根据权利要求1所述的有机电子元件的制造方法,
在构成所述塑料基板的塑料材料的吸收光谱中,所述第一波长范围的积分值小于所述第二波长范围的积分值。
3.根据权利要求1或2所述的有机电子元件的制造方法,
在所述红外线的发射光谱与构成所述塑料基板的塑料材料的吸收光谱的叠加的光谱中,在将所述第一波长范围的积分值设为A1、将所述第二波长范围的积分值设为A2时,A1/(A1+A2)为0.2以上。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的有机电子元件的制造方法,
在所述基板干燥工序中,利用所述红外线进行加热,并且利用不同于所述红外线的热源,加热所述塑料基板。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的有机电子元件的制造方法,
在所述基板干燥工序中,以使所述塑料基板的温度为构成所述塑料基板的塑料材料的玻璃化转变温度以下的方式,加热所述塑料基板。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的有机电子元件的制造方法,
在所述基板干燥工序中,将基板干燥工序后的所述塑料基板的水分含有率设为100ppm以下。
7.根据权利要求1~6中任一项所述的有机电子元件的制造方法,其中,
在所述塑料基板中在形成所述元件主体的一侧的表面形成有阻挡层。
8.根据权利要求1~7中任一项所述的有机电子元件的制造方法,其中,
所述塑料基板具有挠曲性,
所述基板干燥工序是在将从卷绕在卷出辊上的所述塑料基板连续地送出的所述塑料基板卷绕在卷绕辊上的过程中进行的。
9.根据权利要求1~8中任一项所述的有机电子元件的制造方法,其中,
所述有机电子元件为有机电致发光元件、有机光电转换元件、或有机薄膜晶体管。
10.一种基板干燥方法,该方法具有向包含水分的塑料基板照射红外线来进行加热而使之干燥的基板干燥工序,
在所述红外线的发射光谱中,第一波长范围1.2μm~5.0μm的积分值大于第二波长范围5.0μm~10.0μm的积分值。
11.根据权利要求10所述的基板干燥方法,
在构成所述塑料基板的塑料材料的吸收光谱中,所述第一波长范围的积分值小于所述第二波长范围的积分值。
12.根据权利要求10或11所述的基板干燥方法,
在所述红外线的发射光谱与构成所述塑料基板的塑料材料的吸收光谱的叠加的光谱中,在将所述第一波长范围的积分值设为A1、将所述第二波长范围的积分值设为A2时,A1/(A1+A2)为0.2以上。
13.根据权利要求10~12中任一项所述的基板干燥方法,
在所述基板干燥工序中,利用所述红外线进行加热,并且利用不同于所述红外线的热源,加热所述塑料基板。
14.根据权利要求10~13中任一项所述的基板干燥方法,
在所述基板干燥工序中,以使所述塑料基板的温度为构成所述塑料基板的塑料材料的玻璃化转变温度以下的方式,加热所述塑料基板。
15.根据权利要求10~14中任一项所述的基板干燥方法,
在所述基板干燥工序中,将所述基板干燥工序后的所述塑料基板的水分含有率设为100ppm以下。
16.根据权利要求10~15中任一项所述的基板干燥方法,其中,
在所述塑料基板的表面形成有阻挡层。
17.根据权利要求10~16中任一项所述的基板干燥方法,其中,
所述塑料基板具有挠曲性,
所述基板干燥工序是在将从卷绕在卷出辊上的所述塑料基板连续地送出的所述塑料基板卷绕在卷绕辊上的过程中进行的。
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