[发明专利]工件处理技术

权利要求书

1.一种蚀刻第一工件的方法，其特征在于，包括：

使用牺牲性工件确定带状离子束的随离子束位置而变的蚀刻速率剖面，其中，所述蚀刻速率剖面如下确定：

测量所述牺牲性工件的最初厚度剖面；所述最初厚度剖面包括在两个垂直的方向上延伸的多个位置处的最初厚度测量值，以产生三维阵列，其中所述多个位置中的每个位置是所述牺牲性工件上的二维位置；

在所述带状离子束相对于所述牺牲性工件保持静止的同时在预定时间内或以预定剂量朝向所述牺牲性工件引导所述带状离子束；

在引导之后测量所述牺牲性工件的经更新厚度剖面，所述经更新厚度剖面包括在所述多个位置处的经更新厚度测量值；及

确定所述带状离子束的所述蚀刻速率剖面，其中，所述带状离子束的所述蚀刻速率剖面是不均匀的，并且被计算为在每个所述二维位置处的所述最初厚度剖面与所述经更新厚度剖面之间的差；以及

使用所述带状离子束的所述蚀刻速率剖面蚀刻所述第一工件以达到目标厚度剖面。

2.根据权利要求1所述的蚀刻第一工件的方法，其中使用多个遍次执行对所述第一工件的蚀刻，其中在所述多个遍次中的每一遍次期间，所述带状离子束跨越所述第一工件的整个表面进行扫描，其中所述蚀刻速率剖面用以确定选自由所述多个遍次的数目以及在每一遍次期间使用的操作参数组成的群的第一组处理参数。

3.根据权利要求2所述的蚀刻第一工件的方法，其中所述蚀刻速率剖面用以确定所述操作参数，并且所述操作参数选自由以下各项组成的群：扫描速度剖面、所述带状离子束的工作循环、抽取电流、抽取电压以及进给气体的压力。

4.一种蚀刻第一工件的方法，其特征在于，包括：

使用牺牲性工件确定带状离子束的随离子束位置而变的蚀刻速率剖面，其中，所述蚀刻速率剖面确定如下：

测量所述牺牲性工件的最初厚度剖面；所述最初厚度剖面包括在两个垂直的方向上延伸的多个位置处的最初厚度测量值，以产生三维阵列，其中所述多个位置中的每个位置是所述牺牲性工件上的二维位置；

在所述带状离子束相对于所述牺牲性工件保持静止的同时在预定时间内或以预定剂量朝向所述牺牲性工件引导所述带状离子束；

在引导之后测量所述牺牲性工件的经更新厚度剖面，所述经更新厚度剖面包括在所述多个位置处的经更新厚度测量值；

确定所述带状离子束的所述蚀刻速率剖面，其中，所述带状离子束的所述蚀刻速率剖面是不均匀的，并且被计算为在每个所述二维位置处的所述最初厚度剖面与所述经更新厚度剖面之间的差；

确定所述第一工件的最初厚度剖面；

使用所述蚀刻速率剖面以及所述第一工件的所述最初厚度剖面以计算用以达到目标厚度剖面的第一组处理参数；以及

使用所述第一组处理参数蚀刻所述第一工件。

5.根据权利要求4所述的蚀刻第一工件的方法，其进一步包括∶

在蚀刻所述第一工件之后确定所述第一工件的经更新厚度剖面；

使用所述蚀刻速率剖面以及所述第一工件的所述经更新厚度剖面以计算用以达到所述目标厚度剖面的第二组处理参数；以及

使用所述第二组处理参数蚀刻所述第一工件。

6.根据权利要求4所述的蚀刻第一工件的方法，其中使用多个遍次执行所述蚀刻，其中在所述多个遍次中的每一遍次期间，所述带状离子束跨越所述第一工件的整个表面进行扫描，且其中所述第一组处理参数选自由所述多个遍次的数目以及在每一遍次期间使用的操作参数组成的群。