[发明专利]R-T-B系烧结磁体及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201680036852.3 申请日: 2016-06-17
公开(公告)号: CN107710351B 公开(公告)日: 2019-10-25
发明(设计)人: 佐藤铁兵;国吉太;石井伦太郎;西内武司;野泽宣介 申请(专利权)人: 日立金属株式会社
主分类号: H01F1/057 分类号: H01F1/057;B22F1/00;B22F3/00;C22C33/02;C22C38/00;H01F1/08;H01F41/02
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 任岩
地址: 日本国*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 烧结 磁体 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种R-T-B系烧结磁体,其特征在于,其含有:

R:27.5~34.0质量%、

RH:2~10质量%、

B:0.89~0.95质量%、

Ti:0.1~0.2质量%、

Ga:0.3~0.7质量%、

Cu:0.07~0.50质量%、

Al:0.05~0.50质量%、

M:0~0.3质量%、

余量T和不可避免的杂质,

R为稀土元素中的至少一种,必须包含Nd和重稀土元素RH,所述重稀土元素RH为Dy、Tb、Gd和Ho中的至少一种,

M为Nb和/或Zr,

T是过渡金属元素且必须包含Fe,

所述R-T-B系烧结磁体满足下述式(1)、(2)和(3):

[T]-72.3([B]-0.45[Ti])>0 (1)

([T]-72.3([B]-0.45[Ti]))/55.85<13[Ga]/69.72 (2)

[Ga]≥[Cu] (3)

[T]是用质量%表示的T的含量,[B]是用质量%表示的B的含量,[Ti]是用质量%表示的Ti的含量,[Ga]是用质量%表示的Ga的含量,[Cu]是用质量%表示的Cu的含量。

2.根据权利要求1所述的R-T-B系烧结磁体,其中,Ti:0.1质量%以上且低于0.15质量%。

3.一种R-T-B系烧结磁体的制造方法,其特征在于,其是制造权利要求1或2所述的R-T-B系烧结磁体的方法,其包括:

准备1种以上的主合金粉末和1种以上的添加合金粉末的工序;

将所述1种以上的添加合金粉末以在混合后的混合合金粉末100质量%中占0.5质量%以上且20质量%以下的方式进行混合,得到所述1种以上的主合金粉末与所述1种以上的添加合金粉末的混合合金粉末的工序;

将所述混合合金粉末进行成形而得到成形体的成形工序;

将所述成形体进行烧结而得到烧结体得烧结工序;以及

对所述烧结体实施热处理的热处理工序,

所述1种以上的主合金粉末具有下述组成,所述组成含有:

R:27.5~34.0质量%、

RH:2~10质量%、

B:0.89~0.97质量%、

Ti:0~0.2质量%、

Ga:0~0.4质量%、

Cu:0.07~0.50质量%、

Al:0.05~0.50质量%、

余量T和不可避免的杂质,

1种以上的添加合金粉末中的Ti为0质量%时,主合金粉末中的Ti不为0质量%,

所述1种以上的添加合金粉末含有:

R1:32~66质量%、

B:0.3~0.9质量%、

Ti:0~4质量%、

Ga:0.7~12质量%、

Cu:0~4质量%、

Al:0~10质量%、

余量T和不可避免的杂质,

R1为除了重稀土元素RH之外的稀土元素中的至少一种,必须包含Nd,

1种以上的主合金粉末中的Ti为0质量%时,添加合金粉末中的Ti不为0质量%,

且具有满足下述式(4)的组成:

[T]≤72.4[B] (4)。

4.根据权利要求3所述的R-T-B系烧结磁体的制造方法,其特征在于,所述1种以上的主合金粉末是使用片铸法而得到的。

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