[发明专利]R-T-B系烧结磁体及其制造方法有效
申请号: | 201680036852.3 | 申请日: | 2016-06-17 |
公开(公告)号: | CN107710351B | 公开(公告)日: | 2019-10-25 |
发明(设计)人: | 佐藤铁兵;国吉太;石井伦太郎;西内武司;野泽宣介 | 申请(专利权)人: | 日立金属株式会社 |
主分类号: | H01F1/057 | 分类号: | H01F1/057;B22F1/00;B22F3/00;C22C33/02;C22C38/00;H01F1/08;H01F41/02 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 任岩 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 烧结 磁体 及其 制造 方法 | ||
1.一种R-T-B系烧结磁体,其特征在于,其含有:
R:27.5~34.0质量%、
RH:2~10质量%、
B:0.89~0.95质量%、
Ti:0.1~0.2质量%、
Ga:0.3~0.7质量%、
Cu:0.07~0.50质量%、
Al:0.05~0.50质量%、
M:0~0.3质量%、
余量T和不可避免的杂质,
R为稀土元素中的至少一种,必须包含Nd和重稀土元素RH,所述重稀土元素RH为Dy、Tb、Gd和Ho中的至少一种,
M为Nb和/或Zr,
T是过渡金属元素且必须包含Fe,
所述R-T-B系烧结磁体满足下述式(1)、(2)和(3):
[T]-72.3([B]-0.45[Ti])>0 (1)
([T]-72.3([B]-0.45[Ti]))/55.85<13[Ga]/69.72 (2)
[Ga]≥[Cu] (3)
[T]是用质量%表示的T的含量,[B]是用质量%表示的B的含量,[Ti]是用质量%表示的Ti的含量,[Ga]是用质量%表示的Ga的含量,[Cu]是用质量%表示的Cu的含量。
2.根据权利要求1所述的R-T-B系烧结磁体,其中,Ti:0.1质量%以上且低于0.15质量%。
3.一种R-T-B系烧结磁体的制造方法,其特征在于,其是制造权利要求1或2所述的R-T-B系烧结磁体的方法,其包括:
准备1种以上的主合金粉末和1种以上的添加合金粉末的工序;
将所述1种以上的添加合金粉末以在混合后的混合合金粉末100质量%中占0.5质量%以上且20质量%以下的方式进行混合,得到所述1种以上的主合金粉末与所述1种以上的添加合金粉末的混合合金粉末的工序;
将所述混合合金粉末进行成形而得到成形体的成形工序;
将所述成形体进行烧结而得到烧结体得烧结工序;以及
对所述烧结体实施热处理的热处理工序,
所述1种以上的主合金粉末具有下述组成,所述组成含有:
R:27.5~34.0质量%、
RH:2~10质量%、
B:0.89~0.97质量%、
Ti:0~0.2质量%、
Ga:0~0.4质量%、
Cu:0.07~0.50质量%、
Al:0.05~0.50质量%、
余量T和不可避免的杂质,
1种以上的添加合金粉末中的Ti为0质量%时,主合金粉末中的Ti不为0质量%,
所述1种以上的添加合金粉末含有:
R1:32~66质量%、
B:0.3~0.9质量%、
Ti:0~4质量%、
Ga:0.7~12质量%、
Cu:0~4质量%、
Al:0~10质量%、
余量T和不可避免的杂质,
R1为除了重稀土元素RH之外的稀土元素中的至少一种,必须包含Nd,
1种以上的主合金粉末中的Ti为0质量%时,添加合金粉末中的Ti不为0质量%,
且具有满足下述式(4)的组成:
[T]≤72.4[B] (4)。
4.根据权利要求3所述的R-T-B系烧结磁体的制造方法,其特征在于,所述1种以上的主合金粉末是使用片铸法而得到的。
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