[发明专利]用于引导供体基底的边缘区域中的裂纹的方法

权利要求书

1.一种用于从供体基底(2)分离至少一个固体子层(1)的方法，所述方法至少包括下述步骤：

提供供体基底(2)；

首先借助于激光射束(12)在所述供体基底(2)的内部产生改性部(10)，

其中所述供体基底(2)具有如下材料，其中所述材料是SiC，

其中通过所述改性部(10)预设剥离区域，沿着所述剥离区域从所述供体基底(2)分离固体子层(1)；

其中所述改性部(10)表示所述供体基底(2)的材料到另一相的转化部，

随后将所述供体基底(2)的材料从沿着所述供体基底(2)的环周方向延伸的表面(4)开始朝向所述供体基底(2)的中央(Z)的方向去除以产生环绕的不对称的凹部(6)，

其中通过材料去除而露出所述剥离区域；

将所述固体子层从所述供体基底分离，

其中将所述供体基底在所述剥离区域中通过改性部削弱为，使得所述固体子层(1)由于所述材料去除从所述供体基底(2)剥离，

或者

在所述供体基底(2)的倾斜于环绕的表面定向的表面(16)上产生或者设置应力产生层(14)，并且通过热加载所述应力产生层(14)在所述供体基底(2)中产生机械应力，其中通过所述机械应力产生用于分离固体子层(1)的裂纹，所述裂纹从所述供体基底的通过所述材料去除而露出的表面开始沿着所述改性部(10)扩展。

2.根据权利要求1所述的方法，

其特征在于，

所述供体基底(2)由SiC构成。

3.根据权利要求1所述的方法，

其特征在于，

所述固体子层是固体片。

4.根据权利要求1所述的方法，

其特征在于，

所述供体基底(2)的所述倾斜于环绕的表面定向的表面(16)是平坦的。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，

其特征在于，

通过所述改性部(10)预设的所述剥离区域在所述材料去除之前比在所述材料去除之后与所述供体基底(2)的所述环绕的表面更远地间隔开。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，

其特征在于，

在所述材料去除之前产生用于预设所述剥离区域的所述改性部(10)，并且通过所述材料去除而至少局部地实现将所述剥离区域的间距减小到小于10mm，或者

在所述材料去除之后产生用于预设所述剥离区域的所述改性部，其中产生所述改性部(10)，使得所述剥离区域至少局部地与通过所述材料去除而露出的表面间隔小于10mm。

7.根据权利要求6所述的方法，

其特征在于，

通过所述材料去除而至少局部地实现将所述剥离区域的间距减小到小于5mm。

8.根据权利要求6所述的方法，

其特征在于，

通过所述材料去除而至少局部地实现将所述剥离区域的间距减小到小于1mm。

9.根据权利要求6所述的方法，

其特征在于，

所述剥离区域至少局部地与通过所述材料去除而露出的表面间隔小于5mm。

10.根据权利要求6所述的方法，

其特征在于，

所述剥离区域至少局部地与通过所述材料去除而露出的表面间隔小于1mm。

11.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，

其特征在于，

借助于剥蚀射束(8)或者剥蚀流体移除材料，

或者

通过所述材料去除产生具有不对称的构型的凹部(6)，

或者

所述材料去除至少部段地沿着所述供体基底(2)的环周方向在所述供体基底(2)的剥离区域和与所述剥离区域均匀地间隔开的表面之间的整个区域中进行，作为所述供体基底(2)的径向延伸的减小。