[发明专利]基板/取向性磷灰石型复合氧化物膜复合体及其制造方法

权利要求书

1.一种基板/取向性磷灰石型复合氧化物膜复合体，其特征在于，其是在基板上具备有取向性磷灰石型复合氧化物膜的基板/取向性磷灰石型复合氧化物膜复合体，

所述取向性磷灰石型复合氧化物膜由通式A_9.33+x[T_6-yM_y]O_26.00+z表示的复合氧化物形成，

式中的A为选自由La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Be、Mg、Sr及Ba组成的组中的一种或两种以上的元素，式中的T为Si或Ge或包含其两者的元素，式中的M为选自由Mg、Al、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Ga、Y、Zr、Ta、Nb、B、Ge、Zn、Sn、W及Mo组成的组中的一种或两种以上的元素，

式中的x为-1.33～1.5，式中的y为0～3，式中的z为-5.0～5.2，A的摩尔数相对于T的摩尔数的比即A/T为1.3～3.61，

所述取向性磷灰石型复合氧化物膜的膜厚为10.0μm以下且通过Lotgering法得到的取向度为0.6以上，

所述基板的至少形成取向性磷灰石型复合氧化物膜的一侧的材料为金属或合金或陶瓷或者它们的复合材料。

2.根据权利要求1所述的基板/取向性磷灰石型复合氧化物膜复合体，其特征在于，所述取向性磷灰石型复合氧化物膜的膜厚为0.5μm～7.0μm。

3.根据权利要求1或2所述的基板/取向性磷灰石型复合氧化物膜复合体，其特征在于，所述取向性磷灰石型复合氧化物膜的膜残余应力为-3500MPa～0MPa。

4.一种基板/取向性磷灰石型复合氧化物膜复合体的制造方法，其特征在于，使用由与所要成膜的非晶质复合氧化物膜具有相同构成元素的复合氧化物形成的、相对密度为80％以上的靶材，通过溅射法在基板上形成非晶质复合氧化物膜后，在氧分压为1.0×10^-4atm以下的气氛下加热至800℃以上而进行热处理，由此使所述非晶质复合氧化物膜结晶化为磷灰石结构并取向而制成取向性磷灰石型复合氧化物膜，

所述磷灰石型复合氧化物为通式A_9.33+x[T_6-yM_y]O_26.00+z表示的复合氧化物，

式中的A为选自由La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Be、Mg、Sr及Ba组成的组中的一种或两种以上的元素，式中的T为Si或Ge或包含其两者的元素，式中的M为选自由Mg、Al、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Ga、Y、Zr、Ta、Nb、B、Ge、Zn、Sn、W及Mo组成的组中的一种或两种以上的元素，

式中的x为-1.33～1.5，式中的y为0～3，式中的z为-5.0～5.2，A的摩尔数相对于T的摩尔数的比即A/T为1.3～3.61。

5.根据权利要求4所述的基板/取向性磷灰石型复合氧化物膜复合体的制造方法，其特征在于，所述基板的至少形成取向性磷灰石型复合氧化物膜的一侧的材料为金属或合金或陶瓷或者它们的复合材料。

6.根据权利要求4所述的基板/取向性磷灰石型复合氧化物膜复合体的制造方法，其特征在于，所述基板的至少形成取向性磷灰石型复合氧化物膜的一侧的材料为无取向多晶体材料或非晶材料。

7.根据权利要求4所述的基板/取向性磷灰石型复合氧化物膜复合体的制造方法，其特征在于，通过高频溅射法在基板上形成非晶质复合氧化物膜。

8.根据权利要求6所述的基板/取向性磷灰石型复合氧化物膜复合体的制造方法，其特征在于，通过高频溅射法在基板上形成非晶质复合氧化物膜。

9.一种溅射靶材，其特征在于，其是用于在基板上形成磷灰石型复合氧化物薄膜的、相对密度为80％以上的溅射靶材，

该溅射靶材为通式A_9.33+x[T_6-yM_y]O_26.00+z表示的复合氧化物，

式中的A为选自由La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Be、Mg、Sr及Ba组成的组中的一种或两种以上的元素，式中的T为Si或Ge或包含其两者的元素，式中的M为选自由Mg、Al、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Ga、Y、Zr、Ta、Nb、B、Ge、Zn、Sn、W及Mo组成的组中的一种或两种以上的元素，

式中的x为-1.33～1.5，式中的y为0～3，式中的z为-5.0～5.2，A的摩尔数相对于T的摩尔数的比即A/T为1.3～3.61。