[发明专利]超声波探头以及超声波检查装置

权利要求书

1.一种超声波探头，其特征在于，具备在下部电极与上部电极之间设置层叠压电体膜而成的压电元件，

所述层叠压电体膜中，在第1压电体层上直接形成有第2压电体层，所述第1压电体层由具有相对于膜面实质上垂直的自发极化的第1压电材料形成，所述第2压电体层由与所述第1压电材料不同且具有与所述第1压电材料相反方向的自发极化的第2压电材料构成，各所述第1压电体层与各所述第2压电体层分别具有能够获得一阶模态的共振的厚度，

各所述第1压电体层的一阶模态的共振频率与各所述第2压电体层的一阶模态的共振频率大致相等。

2.根据权利要求1所述的超声波探头，其特征在于，所述层叠压电体膜中，进一步交替地层叠有多个所述第1压电体层和所述第2压电体层。

3.根据权利要求1或2所述的超声波探头，其特征在于，构成在所述下部电极上形成的所述第1压电体层的所述第1压电材料为ZnO。

4.根据权利要求3所述的超声波探头，其特征在于，所述下部电极是结晶进行了[111]轴取向的Au膜。

5.根据权利要求1或2所述的超声波探头，其特征在于，各所述第1压电体层的厚度为所述第1压电材料的超声波波长的1/4，

各所述第2压电体层的厚度为所述第2压电材料的超声波波长的1/4。

6.根据权利要求1或2所述的超声波探头，其特征在于，各所述第1压电体层的厚度为所述第1压电材料的超声波波长的1/2，

各所述第2压电体层的厚度为所述第2压电材料的超声波波长的1/2。

7.根据权利要求1或2所述的超声波探头，其特征在于，所述第2压电材料为AlN、ScAlN、GaN、YbGaN中的任一种。

8.一种超声波检查装置，其特征在于，具备权利要求1～7中任一项所述的超声波探头。