[发明专利]发光组件以及发光组件的制造方法

权利要求书

1.一种发光组件的制造方法，包含：

发光部形成步骤，于基板上，以与该基板为晶格匹配系的材料通过依序磊晶成长而成长至少包含Al的第一半导体层、活性层、第二半导体层，而形成一发光部；

窗层兼支持基板形成步骤，于该发光部之上以对该基板为非晶格匹配系的材料通过磊晶成长而形成一窗层兼支持基板；

除去步骤，除去该基板；

第一欧姆电极形成步骤，于该第一半导体层的表面上形成第一欧姆电极；

第一表面粗糙化处理步骤，于该第一半导体层的表面上的该第一欧姆电极的形成部以外的至少一部分予以表面粗糙化；

组件分离步骤，形成除去该发光部的一部分的除去部以及其以外的非除去部；

第二欧姆电极形成步骤，于该除去部的该窗层兼支持基板的表面上形成第二欧姆电极；

覆盖步骤，以绝缘保护膜覆盖该第一半导体层的表面以及该发光部的侧面的至少一部分；以及

第二表面粗糙化处理步骤，个别或同时地将该窗层兼支持基板的表面上的该除去部中的该第二欧姆电极的形成部以外的区域、以及该窗层兼支持基板的侧面及内面予以表面粗糙化；

其中，使该发光部为AlGaInP系，使该窗层兼支承基板为GaAsP系,

且该第一表面粗糙化处理步骤为使用一第一刻蚀液而进行，该第一刻蚀液包含有机酸与无机酸的混合液，该有机酸包含：柠檬酸、丙二酸、甲酸、乙酸及酒石酸中的任一种以上，该无机酸包含：盐酸、硫酸、硝酸及氢氟酸中的任一种以上；以及

在该第二表面粗糙化处理步骤中，该窗层兼支持基板的表面上的该除去部中的该第二欧姆电极的形成部以外的区域、以及该窗层兼支持基板的侧面及内面的表面粗糙化，为使用一第二刻蚀液而进行，该第二刻蚀液包含有机酸与无机酸的混合液，该有机酸包含：柠檬酸、丙二酸、甲酸、乙酸及酒石酸的有机酸中的任一种以上，且该无机酸包含：盐酸、硫酸、硝酸及氢氟酸中的任一种以上，且该混合液的溶液中包含碘，

且该第一刻蚀液与该第二刻蚀液的成份相异。

2.一种发光组件的制造方法，包含：

发光部形成步骤，于基板上，以与该基板为晶格匹配系的材料通过依序磊晶成长而成长至少包含Al的第一半导体层、活性层、第二半导体层，而形成一发光部；

窗层兼支持基板形成步骤，于该发光部之上以对该基板为非晶格匹配系的材料通过磊晶成长而形成一窗层兼支持基板；

除去步骤，除去该基板；

第一欧姆电极形成步骤，于该第一半导体层的表面上形成第一欧姆电极；

第一表面粗糙化处理步骤，于该第一半导体层的表面上的该第一欧姆电极的形成部以外的至少一部分予以表面粗糙化；

组件分离步骤，形成除去该发光部的一部分的除去部以及其以外的非除去部；

第二欧姆电极形成步骤，于该除去部的该窗层兼支持基板的表面上形成第二欧姆电极；

覆盖步骤，以绝缘保护膜覆盖该第一半导体层的表面以及该发光部的侧面的至少一部分；以及

第二表面粗糙化处理步骤，个别或同时地将该窗层兼支持基板的表面上的该除去部中的该第二欧姆电极的形成部以外的区域、以及该窗层兼支持基板的侧面及内面予以表面粗糙化，

其中，使该发光部为AlGaInP系，使该窗层兼支承基板为GaAsP系，

且该第一表面粗糙化处理步骤为使用一第一刻蚀液而进行，该第一刻蚀液包含有机酸与无机酸的混合液，该有机酸包含：柠檬酸、丙二酸、甲酸、乙酸及酒石酸中的任一种以上，该无机酸包含：盐酸、硫酸、硝酸及氢氟酸中的任一种以上；以及

在该第二表面粗糙化处理步骤中，该窗层兼支持基板的表面上的该除去部中的该第二欧姆电极的形成部以外的表面粗糙化，通过包含氯化氢气体的ICP等离子体蚀刻的干蚀刻而进行，以及该窗层兼支持基板的侧面及内面的表面粗糙化，为使用一第二刻蚀液而进行，该第二刻蚀液包含有机酸与无机酸的混合液，该有机酸包含：柠檬酸、丙二酸、甲酸、乙酸及酒石酸的有机酸中的任一种以上，且该无机酸包含：盐酸、硫酸、硝酸及氢氟酸中的任一种以上，且该混合液的溶液中包含碘，

且该第一刻蚀液与该第二刻蚀液的成份相异。