[发明专利]有源矩阵基板、显示装置以及制造方法

说明书

抑制在设置于基板与TFT之间的绝缘膜或者基板的表面生成突起物。有源矩阵基板具备：绝缘基板(100)；表面覆盖膜(110)，其覆盖绝缘基板的表面的至少一部分；绝缘性透光膜(204)，其设置在包括表面覆盖膜的绝缘基板上；栅极线；栅极绝缘膜；薄膜晶体管；数据线；以及引出配线(115)。在绝缘基板的周缘部形成未设置有绝缘性透光膜的区域。引出配线被设为，在从与绝缘基板垂直的方向观察时，与绝缘性透光膜的外周端部交叉。表面覆盖膜也设置于未设置有绝缘性透光膜的区域中与绝缘性透光膜的外周端部接触的部分。

技术领域

本发明涉及一种配置有薄膜晶体管的有源矩阵基板以及使用该有源矩阵基板的显示装置。

背景技术

存在有显示装置中具备在基板上配置为矩阵状的薄膜晶体管的装置。近年来，作为薄膜晶体管，使用具备具有高迁移率并且漏电电流低的特征的氧化物半导体。具备由氧化物半导体构成的薄膜晶体管的有源矩阵基板利用范围广泛。例如，用于需要高清晰的液晶显示器、因电流驱动而使薄膜晶体管的负荷大的有机EL显示器以及需要以高速使快门进行工作的MEMS显示器(Micro Electro Mechanical System Display)等中。

例如，下述专利文献1公开了一种透射式的MEMS显示器。在该MEMS显示器中，在具备薄膜晶体管的第一基板，由MEMS构成的多个快门分别与多个像素对应地排列为矩阵状。在层压于第二基板的第一基板侧的遮光膜与像素对应地设置有排列为矩阵状的多个开口部。通过快门移动，从而开闭开口部，使光从背光源单元向显示面透射或将光隔断。

现有技术文献

专利文件

专利文献1：日本特开2013－50720号公报

发明内容

本发明所需解决的技术问题

作为有源矩阵基板的构成，本申请发明人对在绝缘基板上形成绝缘性的透光膜，并在其上层压与各像素对应的薄膜晶体管的构成进行了研究。本申请发明人发现：在该构成中，在对透光膜进行图案化的工序中，在被蚀刻的透光膜的端部附近，在透光膜以及基板的表面能够生成多个针状的突起物(剑山状的突起物)。这样的突起物会对层压在透光膜上的部件产生影响。例如，当在突起物上层压有配线时，存在有产生配线的高电阻化、断线等的担忧。

另外，为了稳定利用了氧化物半导体的薄膜晶体管特性，也可以在氧化物半导体层的沉积后以400℃以上的温度，例如以一个小时左右进行高温退火处理(以下，将400℃以上的退火处理称为高温退火处理)。在将非晶硅用作薄膜晶体管的情况下，有源矩阵基板的形成过程中的最高温度最高不过300℃～330℃(沉积氮化硅、非晶硅时的温度)，但在使用了氧化物半导体的有源矩阵基板的形成过程中，该高温退火的温度成为最高温度。并且，例如以一个小时左右的长时间进行高温退火处理，因此容易产生以往的有源矩阵基板的形成时未出现过的问题。例如，当在产生了上述的针状的突起物的状态下，进行高温退火时，容易产生透光膜的剥离、裂缝。因此，上述的问题在使用由氧化物半导体构成的薄膜晶体管的情况下，显着出现。

这样的课题例如能够产在液晶显示器或者有机EL显示器等具有在形成于基板上的绝缘层上配置薄膜晶体管的构成的显示装置中。

因此，本申请公开能够抑制在设置于基板与薄膜晶体管之间的绝缘层或者基板的表面生成突起物的显示装置。

解决问题的手段