[发明专利]DMOS及CMOS半导体装置的增强集成

权利要求书

1.一种功率半导体装置，其包括：

至少一个横向扩散金属氧化物半导体LDMOS结构，其具有包括第一金属硅化物材料的第一完全硅化栅极，所述LDMOS结构具有硅化源极区域及漏极区域，其中所述漏极区域是未硅化轻掺杂；

至少一个互补金属氧化物半导体CMOS结构，其与所述LDMOS结构集成于相同衬底上，所述CMOS结构具有包括第二金属硅化物材料的第二完全硅化栅极，所述第一金属硅化物材料及所述第二金属硅化物材料互不相同；及

屏蔽结构，其形成于所述LDMOS结构的所述第一完全硅化栅极的至少一部分上方，所述屏蔽结构经配置以将电场电势梯度分布于所述LDMOS结构的轻掺杂漏极区域上方及远离所述第一完全硅化栅极的拐角之处。

2.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一金属硅化物材料包括硅化钨。

3.根据权利要求2所述的装置，其中所述第二完全硅化栅极包括硅化钛(TiSi₂)、硅化钴(CoSi₂)及硅化镍(NiSi₂)中的至少一者。

4.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一完全硅化栅极经形成为与所述第二完全硅化栅极分离。

5.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一完全硅化栅极包括硅化钨、硅化钽、硅化钛及硅化钴中的一者，且所述第二完全硅化栅极包括硅化钛、硅化钴及硅化镍中的一者，用于形成所述第二完全硅化栅极的材料具有相对于用于形成所述第一完全硅化栅极的材料的相转变温度更低的相转变温度。

6.根据权利要求1所述的装置，其中在形成所述CMOS结构之前，形成所述LDMOS结构的所述第一完全硅化栅极。

7.根据权利要求1所述的装置，其进一步包括经形成于所述衬底中的多个浅沟槽隔离STI结构，所述STI结构使所述LDMOS结构与所述CMOS结构电隔离。

8.根据权利要求1所述的装置，其进一步包括经形成于所述LDMOS结构的所述第一完全硅化 栅极及所述CMOS结构的第二完全硅化 栅极下方的栅极氧化物层，所述第一完全硅化栅极下方的所述栅极氧化物层具有第一横截面厚度，且所述第二完全硅化 栅极的所述栅极氧化物层具有第二横截面厚度，所述第一横截面厚度大于所述第二横截面厚度。

9.根据权利要求1所述的装置，其中所述CMOS结构是具有小于0.35微米的最小沟道长度的深亚微米CMOS结构。

10.根据权利要求1所述的装置，其进一步包括：

电介质间隔物，其形成于所述LDMOS结构的所述第一完全硅化 栅极的至少侧壁上；及

电介质层，其形成于所述第一完全硅化 栅极及所述电介质间隔物的至少一部分上方，所述屏蔽结构形成于所述电介质层的至少一部分上。

11.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一完全硅化栅极及所述第二完全硅化栅极在不同的工艺步骤中形成。