[发明专利]显示器用玻璃基板及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种显示器用玻璃基板及其制造方法。本发明特别涉及一种低温多晶硅薄膜晶体管(以下，记载为LTPS-TFT(Low-Temperature-Polycrystalline-Silicon Thin-Film-Transistor))显示器用玻璃基板。此外，本发明涉及一种氧化物半导体薄膜晶体管(以下，记载为OS-TFT(Oxide-Semiconductor Thin-Film-Transistor))显示器用玻璃基板。更详细来说，本发明涉及一种所述显示器为液晶显示器的显示器用玻璃基板。或者，本发明涉及一种所述显示器为有机EL(Electroluminescence，电激发光)显示器的显示器用玻璃基板。而且，本发明涉及一种所述显示器为平板显示器的平板显示器用玻璃基板。

[相关申请的相互参照]

本申请主张2015年6月30日申请的日本专利特愿2015-131779号的优先权其全部记载特别作为揭示而被援用于本文中。

背景技术

就可降低功耗等理由来说，移动设备等所搭载的显示器期待将LTPS应用于制造薄膜晶体管(TFT)，在LTPS-TFT的制造中，需要在400～600℃这样相对高的温度下进行热处理。另一方面，近年来逐渐要求小型移动设备的显示器高精细化。因此，引起像素的间距偏差的制造显示器面板时所产生的玻璃基板的热缩成为问题。此外，即便在形成有OS-TFT的玻璃基板中，同样地抑制热缩也成为课题。

玻璃基板的热缩率通常可通过提高玻璃的应变点、提高玻璃转移点(以下称为Tg)、或者减缓缓冷速度而降低。根据此种情况，揭示有为了降低热缩率而提高玻璃的应变点的技术(专利文献1)。此外，揭示有调整缓冷点至应变点附近的温度区域下的平均密度曲线的斜率与平均线膨胀系数的比而减少热缩的技术(专利文献2)。此外，揭示有为了降低热缩率而提高Tg的技术(专利文献3)。而且，由于近年来逐渐要求显示器面板的高精细化，因此专利文献3的技术中热缩率的降低并不充分。为此，也揭示有将玻璃的应变点设为725℃以上的技术(专利文献4)。

专利文献1：日本专利特开2010-6649号公报

专利文献2：日本专利特开2004-315354号公报

专利文献3：日本专利特开2011-126728号公报

专利文献4：日本专利特开2012-106919号公报

专利文献1～4的全部记载特别作为揭示而被援用于本文中。

发明内容

[发明所要解决的问题]

近年来，由于逐渐要求高精细化，因此要求进一步缩小热缩率。在为了进一步缩小热缩率而提高玻璃基板的应变点的情况下，必须使玻璃中的SiO₂或Al₂O₃的含量增多，结果，有熔融玻璃的比电阻上升的倾向。近年来，存在为了使玻璃在溶解槽中有效率地熔解而使用直接通电加热的情况。在使用直接通电加热的情况下，若熔融玻璃的比电阻上升，则电流并非流过熔融玻璃而是流过构成熔解槽的耐火物，结果很明显有可能会导致产生熔解槽熔损。然而，在所述专利文献1所记载的发明中，关于熔融玻璃的比电阻并未做任何考虑。因此，在欲经过基于直接通电加热的熔融制造专利文献1所记载的玻璃的情况下，严重担心会产生所述熔解槽熔损的问题。而且，由于近年来逐渐要求高精细化，进一步要求提高玻璃的应变点，因此所述问题变得更加显著。

此外，由于所述专利文献2所揭示的玻璃的应变点为682～699℃，因此为了设为比如使热缩充分地缩小的平均密度曲线的斜率，必须使缓冷速度极慢，存在生产性降低的问题。而且，专利文献2所揭示的玻璃由于失透温度为1287℃以上，因此也存在容易产生失透的问题。此外，所述问题在使用下拉法进行成形的情况下变得特别显著。

而且，在使用玻璃基板的显示器的制造中要求提高生产性，例如也要求提高将形成有薄膜晶体管的玻璃基板制成薄板的步骤的生产性。将玻璃基板制成薄板的步骤的生产性较大地依赖于玻璃基板的蚀刻所耗的时间。因此，要求显示器玻璃基板同时实现蚀刻速率的上升所带来的生产性的提高及热缩率的降低。然而，关于所述专利文献4所记载的玻璃基板，应变点虽较高，但仍存在并未顾虑到蚀刻速率的问题。

因此，本发明的目的在于提供一种将失透温度抑制得较低并且满足高应变点的玻璃基板、及其制造方法。本发明的目的尤其在于提供一种适合使用LTPS-TFT或者OS-TFT的显示器的显示器用玻璃基板及其制造方法。

[解决问题的技术手段]