[发明专利]硅材料的切割辅助装置、切割方法、切割系统

权利要求书

1.一种硅材料的切割方法，向硅材料的被切割部供给作为切削液的含有微小气泡的pH为10以上的无机碱性电解水，从而切割该硅材料；向所述硅材料的被切割部喷射所述切削液；所述pH为10以上的无机碱性电解水的pH值为11.4，所述pH为10以上的无机碱性电解水的氧化还原点位ORP为-802mV。

2.根据权利要求1所述的硅材料的切割方法，其中，所述切削液通过将在pH为10以上的无机碱性电解水中混合气体并加压后的气液混合液在大气压下开放而生成，向所述硅材料的被切割部喷出而被供给。

3.根据权利要求1或2所述的硅材料的切割方法，其中，所述pH为10以上的无机碱性电解水通过电解将作为电解质的选自由氯化物盐、碳酸盐、硫酸盐、硝酸盐、铵盐、亚硫酸盐组成的组中的1种以上的盐溶解后的水溶液而制造的。

4.根据权利要求3所述的硅材料的切割方法，其中，所述电解质选自由NaCl、KCl、K₂CO₃、Na₂CO₃、NH₄Cl、Na₂SO₄组成的组中的1种以上的盐。

5.根据权利要求1所述的硅材料的切割方法，其中，所述微小气泡为惰性气体或还原性气体的气泡。

6.权利要求1～5任一项所述硅材料的切割方法的切割辅助装置，在硅材料的切割时，向该硅材料的被切割部供给作为切削液的含有微小气泡的pH为10以上的无机碱性水溶液；

向所述硅材料的被切割部喷射所述切削液；所述pH为10以上的无机碱性水溶液的pH值为11.4，所述pH为10以上的无机碱性水溶液的氧化还原点位ORP为-802mV。

7.权利要求1～5任一项所述硅材料的切割方法的切割辅助装置，在硅材料的切割时，向该硅材料的被切割部供给作为切削液的含有微小气泡的pH为10以上的无机碱性电解水；

向所述硅材料的被切割部喷射所述切削液；所述pH为10以上的无机碱性电解水的pH值为11.4，所述pH为10以上的无机碱性电解水的氧化还原点位ORP为-802mV。

8.根据权利要求7所述的硅材料的切割辅助装置，其中，具备在pH为10以上的无机碱性电解水中混合气体且加压从而制造气液混合液的混合加压部，以及将该气液混合液在大气下开放，向所述硅材料的被切割部喷出的喷出部，该气液混合液在从该喷出部喷出时，成为含有所述微小气泡的所述切削液。

9.根据权利要求7或8所述的硅材料的切割辅助装置，其中，所述pH为10以上的无机碱性电解水通过电解将作为电解质的选自由氯化物盐、碳酸盐、硫酸盐、硝酸盐、铵盐、亚硫酸盐组成的组中的1种以上的盐溶解后的水溶液而制造的。

10.根据权利要求9所述的硅材料的切割辅助装置，其中，所述电解质选自由NaCl、KCl、K₂CO₃、Na₂CO₃、NH₄Cl、Na₂SO₄组成的组中的1种以上的盐。

11.根据权利要求7所述的硅材料的切割辅助装置，其中，所述微小气泡为惰性气体或还原性气体的气泡。

12.权利要求1～5任一项所述硅材料的切割方法的切割系统，具备切割硅材料的切割装置，以及向该硅材料的被切割部供给作为切削液的含有微小气泡的pH为10以上的无机碱性电解水的切割辅助装置；

向所述硅材料的被切割部喷射所述切削液；所述pH为10以上的无机碱性电解水的pH值为11.4，所述pH为10以上的无机碱性电解水的氧化还原点位ORP为-802mV。