[发明专利]具有微带耦合器的直通线路定向功率传感器

权利要求书

1.一种定向耦合器，包括：

耦合器、正向电阻衰减器、反射电阻衰减器、正向补偿电容器以及反射补偿电容器；

所述耦合器包括耦合器传输线部分和耦合结构；

所述耦合结构具有耦合长度为D₁的耦合线，所述耦合结构还具有电连接到所述耦合线的上游端的正向耦合器侧臂，以及电连接到所述耦合线的下游端的反射耦合器侧臂；

所述耦合线耦合到所述耦合器传输线部分；

所述正向耦合器侧臂被配置成使用所述耦合线从所述耦合器传输线部分得到正向能量采样，以及所述反射耦合器侧臂被配置成使用所述耦合线从所述耦合传输线部分得到反射能量采样；

所述正向耦合器侧臂电连接到所述正向电阻衰减器，并被配置成提供所述正向能量采样给所述正向电阻衰减器；

所述正向电阻衰减器被配置成衰减所述正向能量采样，从而产生衰减的正向能量采样，所述正向电阻衰减器电连接到所述正向补偿电容器，并被配置成提供所述衰减的正向能量采样给所述正向补偿电容器；

所述正向补偿电容器被配置成接收所述衰减的正向能量采样并产生频率补偿的正向能量采样；

所述反射耦合器侧臂电连接到所述反射电阻衰减器，并被配置成提供所述反射能量采样给所述反射电阻衰减器；

所述反射电阻衰减器被配置成衰减所述反射能量采样，从而产生衰减的反射能量采样，所述反射电阻衰减器电连接到所述反射补偿电容器，并被配置成提供所述衰减的反射能量采样给所述反射补偿电容器；以及

所述反射补偿电容器被配置成接收所述衰减的反射能量采样，并产生频率补偿的反射能量采样。

2.根据权利要求1所述的定向耦合器，其中所述定向耦合器被配置为频率补偿短线双向耦合器。

3.根据上述权利要求中任意一项所述的定向耦合器，其中所述耦合线的所述耦合长度(D₁)明显小于λ/4，其中λ是在所述定向耦合器的中心频率的所述耦合线中的RF波的波长。

4.根据上述权利要求中任意一项所述的定向耦合器，其中所述耦合线的所述耦合长度(D₁)在大约λ/32和λ/64之间。

5.根据上述权利要求中任意一项所述的定向耦合器，其中所述耦合线的所述耦合长度(D₁)大约是λ/42。

6.根据上述权利要求中任意一项所述的定向耦合器，其中所述耦合结构是印刷电路板(PCB)上的微带。

7.根据上述权利要求中任意一项所述的定向耦合器，其中所述耦合器传输线部分能够是微带传输线或刚性空气传输线。

8.根据上述权利要求中任意一项所述的定向耦合器，其中所述正向补偿电容器被配置为旁路电容器。

9.根据上述权利要求中任意一项所述的定向耦合器，其中所述正向补偿电容器被配置为馈通旁路电容器。

10.根据上述权利要求中任意一项所述的定向耦合器，其中所述正向补偿电容器被配置为具有串联电容器和旁路电容器的电容分压器。

11.根据上述权利要求中任意一项所述的定向耦合器，其中所述正向补偿电容器被配置为具有串联电容器和馈通旁路电容器的电容分压器。

12.根据上述权利要求中任意一项所述的定向耦合器，其中所述正向补偿电容器被配置为具有第一旁路电容器和串联电容器以及第二旁路电容器的电容分压器，其中所述第二旁路电容器是馈通旁路电容器。

13.根据上述权利要求中任意一项所述的定向耦合器，其中所述正向补偿电容器被配置为旁路、旁路馈通、串联-旁路、串联-旁路馈通或旁路-串联-旁路馈通。

14.根据上述权利要求中任意一项所述的定向耦合器，其中所述反射补偿电容器被配置为旁路电容器。

15.根据上述权利要求中任意一项所述的定向耦合器，其中所述反射补偿电容器被配置为馈通旁路电容器。

16.根据上述权利要求中任意一项所述的定向耦合器，其中所述反射补偿电容器被配置为具有串联电容器和旁路电容器的电容分压器。