[发明专利]制品及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201680038046.X 申请日: 2016-07-05
公开(公告)号: CN107810225B 公开(公告)日: 2021-10-15
发明(设计)人: E·K·L·Y·哈吉梅;J·D·克拉珀;K·J·哈尔威森;姜明灿 申请(专利权)人: 3M创新有限公司
主分类号: C08J7/06 分类号: C08J7/06;B29C71/02;B29C71/00;B24D11/00;B24D18/00;C08L21/02;C08L27/06;C08L23/00
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 陈长会;吕小羽
地址: 美国明*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 制品 及其 制造 方法
【说明书】:

本发明提供了包括聚合物基底的制品,所述聚合物基底具有第一主表面,所述第一主表面包含附接至其的多个粒子(例如,粘土粒子、石墨粒子、氮化硼粒子、碳粒子、二硫化钼粒子、氯氧化铋粒子,以及它们的组合)。本文所述的制品可用于例如防拆封表面。

相关申请的交叉引用

本申请要求2015年7月8日提交的美国临时专利申请No.62/190051的权益,该专利申请的公开内容以引用方式全文并入本文。

背景技术

粒子组件的配向或取向是通常比较受欢迎的构造,因为它们可赋予集体特性,并且配向或取向粒子组件的许多实施方案是已知的。例如,在“Room-TemperatureUltraviolet Nanowire Nanolasers,”Huang,M.H.et al.,Science,292,pp.1897-1899(2001)(“室温紫外纳米线纳米激光器”,Huang,M.H.等人,《科学》,第292卷,第1897-1899页,2001年)中报道了自组织的取向氧化锌纳米线阵列表现出室温紫外激光发射效应。例如在“A Black Body Absorber From Vertically Aligned Single-Walled CarbonNanotubes,”Mizuno,K.et al.,Proceedings of the National Academy of Sciences ofthe United States of America(PNAS),106(15),pp.6044-6047(2009)(“来自竖直配向的单壁碳纳米管的黑体吸收体”,Mizuno,K.等人,《美国科学院院报》(PNAS),第106卷第15期,第6044-6047页,2009年)中报道了与黑体表现最相似的一丛竖直配向的单壁碳纳米管,几乎完全吸收在非常宽的光谱范围(0.2-200微米)内的光。例如,在“Adhesive Force of aSingle Gecko Foot-Hair,”Autumn,K.et al.,Nature,405,pp.681-685(2000)(“单根壁虎脚毛的粘合力”,Autumn,K.等人,《自然》,第405卷,第681-685页,2000年)中报道了具有近五十万根角质毛或刚毛的壁虎脚,其中每根刚毛包含数百个终止于0.2-0.5微米刮刀形结构的突出部,其中刚毛的宏观取向和预加载使附着力比材料的摩擦测量结果增加了600倍。例如在美国专利No.8,685,124 B2(David等人)中报道了带涂层磨料制品中的配向成型磨粒。

制备配向或取向粒子组件的方法是本领域中已知的。例如在“A Black BodyAbsorber From Vertically Aligned Single-Walled Carbon Nanotubes,”Mizuno,K.etal.,Proceedings of the National Academy of Sciences of the United States ofAmerica(PNAS),106(15),pp.6044-6047(2009)(“来自竖直配向的单壁碳纳米管的黑体吸收体”,Mizuno,K.等人,《美国科学院院报》(PNAS),第106卷第15期,第6044-6047页,2009年)中报道了在750℃下用乙烯作为碳源并用水作为催化剂增强剂和防腐剂,通过水辅助化学气相沉积(CVD)在硅基底上“超速成长(Super Growth)”而合成的竖直配向的单壁碳纳米管(丛)。例如,在“Surface Modification Studies of Edge-Oriented MolybdenumSulfide Nanosheets,”Zhang,H.et al.,Langmuir,20,pp.6914-6920(2004)(“边缘取向的硫化钼纳米片的表面改性研究”,Zhang,H.等人,《朗缪尔》,第20卷,第6914-6920页,2004年)中报道了通过蒸发基于Mo(IV)-四(二乙氨基二硫代甲酸盐)的单源前体合成的边缘取向的MoS2纳米片。然而,由于所涉及的高温处理条件(300℃或更高),这些方法限于热稳定的基底,并且涉及来自气体或蒸气源的粒子的直接生长。

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