[发明专利]对多层膜进行蚀刻的方法

权利要求书

1.一种使用等离子体处理装置对被处理体的多层膜进行蚀刻的方法，其中，

所述被处理体具有绝缘膜、多层膜和设置在所述多层膜上的掩模，该多层膜形成在所述绝缘膜上且包含由金属磁性材料形成的层，

该方法包括以下工序：

第1工序，在将所述等离子体处理装置的处理容器的内部的压力设定为第1压力的状态下，对所述多层膜执行溅射蚀刻；以及

第2工序，在将所述处理容器内部的压力设定为比所述第1压力低的第2压力的状态下，对通过所述第1工序进行了处理的所述多层膜执行溅射蚀刻，

其中，在所述溅射蚀刻期间，由于等离子体的活性种与有机杂质的反应而在所述多层膜和所述绝缘膜之间生成包含气体的缺陷，并且所述第1压力被设置成抑制所述包含气体的缺陷的膨胀，从而抑制所述多层膜的剥离或开裂，

执行所述第1工序直到所述多层膜的膜厚变为31nm以下为止并且在所述多层膜的膜厚变为31nm以下时停止，使得所述包含气体的缺陷内的气体从所述多层膜中泄露，在所述第1工序中将所述多层膜蚀刻到其膜厚方向上的中途以蚀刻所述多层膜的部分，并且在所述第2工序中蚀刻所述多层膜的剩余部分直到所述绝缘膜暴露为止，以及所述第1压力为2Pa以上的压力。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述第2压力为1.333Pa以下的压力。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，

该绝缘膜包含氧化硅或氮化硅。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，

所述多层膜包含从Ru、Ta、Pt、Pd、Ti、Mg、Al、Ag、Au、Cu、W、Co、Fe以及Ni中选择的两种以上的金属。

5.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，

在所述处理容器内设置有包括下部电极的载置台，

在所述第1工序中，在将所述被处理体放置在所述载置台上的状态下，向所述下部电极供给偏压用的高频。