[发明专利]制备光调制元件的方法

权利要求书

1.制备液晶显示器的方法，其包括以下步骤

a)在两个基板之间提供包含一种或多种双介晶化合物、一种或多种手性化合物及一种或多种可聚合化合物的液晶介质层，其中至少一个基板对光是透明的，且在该基板中的一者或两者上提供电极，

b)将液晶介质加热至其各向同性相，

c)将该液晶介质冷却至低于清亮点，同时在该电极之间施加AC场，其足以使该液晶介质在切换状态之间切换，

d)使所述液晶介质层暴露于诱导该可聚合化合物的光聚合的具有第一波长的光辐射，同时在该电极之间施加AC场，

e)在具有或不具有所施加的电压或热控制的情况下冷却至室温，

f)使所述液晶介质层暴露于诱导步骤d)中未聚合的任何剩余可聚合化合物的光聚合的具有第二波长的光辐射，任选地同时在所述电极之间施加AC场。

2.根据权利要求1的方法，其特征在于将步骤b)中的LC介质加热至高于该清亮点1℃或更多。

3.根据权利要求1或2的方法，其特征在于将步骤c)中的LC介质冷却至低于该清亮点1℃或更多。

4.根据权利要求1至3中一项或多项的方法，其特征在于步骤c)中的所施加的AC电压是在1至70V的范围内。

5.根据权利要求1至4中一项或多项的方法，其特征在于步骤c)中的所施加的AC频率是在20Hz至20kHz的范围内。

6.根据权利要求1至5中一项或多项的方法，其特征在于步骤d)中的所选的光辐射波长是在300至400nm的范围内。

7.根据权利要求1至6中一项或多项的方法，其特征在于步骤d)中的辐射强度是在1至50mW/cm²的范围内。

8.根据权利要求1至7中一项或多项的方法，其特征在于步骤d)中的暴露时间是在10秒至20分钟的范围内。

9.根据权利要求1至8中一项或多项的方法，其特征在于步骤f)中的所选的光辐射波长选自比第一固化步骤d)中长的波长。

10.根据权利要求1至9中一项或多项的方法，其特征在于该可聚合单反应性、双反应性或多反应性液晶化合物选自式D-1、式D-11、式D-26及式D-31的化合物，

其中

P⁰在多次出现的情况下彼此独立地为可聚合基团，

w为0或1，

x及y彼此独立地为0或1至2的相同或不同整数，

r为0、1、2、3或4，

z为0、1、2或3，其中若相邻的x或y为0，则z为0，

R⁰为H、具有1至20个C原子或更多的烷基、烷氧基、硫代烷基、烷基羰基、烷氧基羰基、烷基羰氧基或烷氧基羰氧基，其任选地经氟化，或为Y^D0或P⁰-(CH₂)_y-(O)_z-，

Y^D0为F、Cl、CN、NO₂、OCH₃、OCN、SCN、具有1至4个C原子的任选地经氟化的烷基羰基、烷氧基羰基、烷基羰氧基或烷氧基羰氧基、或具有1至4个C原子的单氟化、寡氟化或多氟化烷基或烷氧基，且

其中另外，其中苯环可另外经一个或多个相同或不同的基团L取代。

11.根据权利要求1至10中一项或多项的方法，其特征在于该可聚合单反应性、双反应性或多反应性液晶选自式D-1、式D-11或式D-26的化合物。

12.根据权利要求1至11中一项或多项的方法，其特征在于可聚合化合物的总浓度是在0.1％至20％的范围内。

13.光调制元件，其可由根据权利要求1至12中一项或多项的方法获得。

14.光学或电光学器件，其包含根据权利要求13的光调制元件。