[发明专利]光电转换元件有效

专利信息
申请号: 201680038843.8 申请日: 2016-06-27
公开(公告)号: CN107851672B 公开(公告)日: 2020-05-19
发明(设计)人: 吉川康志;伊坂隆行;冈本亲扶 申请(专利权)人: 夏普株式会社
主分类号: H01L31/0224 分类号: H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/068
代理公司: 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 代理人: 汪飞亚;习冬梅
地址: 日本国大*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 光电 转换 元件
【说明书】:

本发明的光电转换元件(1)具备复合钝化膜(6),所述复合钝化膜(6)设置在与供光入射的第一表面(10a)相反一侧的半导体基板(10)的第二表面(10b)。复合钝化膜(6)包括:具有负的固定电荷的第一钝化膜(14)、和保护第一钝化膜(14)的保护膜(15)。因此,可提高光电转换元件(1)的载流子的收集效率。

技术领域

本发明涉及一种光电转换元件。

背景技术

近年来,从地球环境问题的观点考虑,将太阳光等光能转换为电能的光电转换元件作为下一代的能源的期待越来越高。公知有为了提高将光能转换为电能的效率而具有仅在与光的入射面相反一侧亦即背面形成有电极的背接触构造的光电转换元件(例如参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文件

专利文献1:美国专利第4927770号说明书

发明内容

本发明所要解决的技术问题

然而,对于专利文献1所记载的光电转换元件而言,不能说收集载流子的效率足够高,其中该载流子通过光照射于光电转换元件而在光电转换元件内生成。

本发明是鉴于上述课题而完成的,其目的在于提供具有提高了的载流子收集效率的光电转换元件。

解决问题的手段

本发明的光电转换元件具备半导体基板,该半导体基板具有供光入射的第一表面、与第一表面相反一侧的第二表面、以及连接第一表面和第二表面的侧面。半导体基板在第二表面内包括n型杂质扩散层和p型杂质扩散层。本实施方式的光电转换元件还具备设置在第二表面上的复合钝化膜。复合钝化膜包括:具有负的固定电荷的第一钝化膜、和保护第一钝化膜的保护膜。本实施方式的光电转换元件还具备:第一电极,其设置在第二表面上并且与n型杂质扩散层电连接;和第二电极,其设置在第二表面上并且与p型杂质扩散层电连接。

发明效果

根据本发明的光电转换元件,能够提供具有提高了的载流子收集效率的光电转换元件。

附图说明

图1是从半导体基板的第二表面侧观察的第一实施方式所涉及的光电转换元件的示意的俯视图。

图2是第一实施方式所涉及的光电转换元件的沿图1所示的剖面线II-II的简要剖视图。

图3是表示第一实施方式所涉及的光电转换元件的制造方法的一个工序的简要剖视图。

图4是表示第一实施方式所涉及的光电转换元件的制造方法的图3所示的工序的下一个工序的简要剖视图。

图5是表示第一实施方式所涉及的光电转换元件的制造方法的图4所示的工序的下一个工序的简要剖视图。

图6是表示第一实施方式所涉及的光电转换元件的制造方法的图5所示的工序的下一个工序的简要剖视图。

图7是表示第一实施方式所涉及的光电转换元件的制造方法的图6所示的工序的下一个工序的简要剖视图。

图8是表示第一实施方式所涉及的光电转换元件的制造方法的图7所示的工序的下一个工序的简要剖视图。

图9是表示第一实施方式所涉及的光电转换元件的制造方法的图8所示的工序的下一个工序的简要剖视图。

图10是表示第一实施方式所涉及的光电转换元件的制造方法的图9所示的工序的下一个工序的简要剖视图。

图11是表示第一实施方式所涉及的光电转换元件的制造方法的图10所示的工序的下一个工序的简要剖视图。

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