[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

半导体开关，具有与高电位连接的第一主电极、与低电位连接的第二主电极、以及控制电极；

第一齐纳二极管，其一端与所述第一主电极电气连接，其另一端与所述控制电极电气连接，并且为N型半导体层与P型半导体层交互地相邻配置的结构；以及

第二齐纳二极管，其一端与所述控制电极电气连接，其另一端与所述第二主电极电气连接，并且为N型半导体层与P型半导体层交互地相邻配置的结构，

其中，构成所述第一齐纳二极管的所述N型半导体层与所述P型半导体层的接合面积比构成所述第二齐纳二极管的所述N型半导体层与所述P型半导体层的接合面积更小。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

其中，构成所述第一齐纳二极管的所述N型半导体层与所述P型半导体层的宽度比构成所述第二齐纳二极管的所述N型半导体层与所述P型半导体层的宽度更短。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

其中，构成所述第一齐纳二极管的所述N型半导体层与所述P型半导体层的厚度比构成所述第二齐纳二极管的所述N型半导体层与所述P型半导体层的厚度更薄。

4.一种半导体装置，其特征在于，包括：

半导体开关，具有与高电位连接的第一主电极、与低电位连接的第二主电极、以及控制电极；

第一齐纳二极管，其一端与所述第一主电极电气连接，其另一端与所述控制电极电气连接，并且为N型半导体层与P型半导体层交互地相邻配置的结构；以及

第二齐纳二极管，其一端与所述控制电极电气连接，其另一端与所述第二主电极电气连接，并且为N型半导体层与P型半导体层交互地相邻配置的结构，

其中，构成所述第二齐纳二极管的多个所述N型半导体层中的被所述P型半导体层夹住的N型半导体层没有被形成在所述第二齐纳二极管的整个宽度上，并且在所述第二齐纳二极管的长度方向上相邻的P型半导体层之间相连。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于：

其中，构成所述第二齐纳二极管的P型半导体层从平面看被形成为蛇行形状。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于：

其中，被所述P型半导体层夹住的N型半导体层的前端从平面看被形成为圆弧状。

7.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于：

其中，在所述相邻的P型半导体层的连接区域上配置有电阻比所述P型半导体层更低的低电阻P型半导体层。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于：

其中，所述低电阻P型半导体层被形成为将所述N型半导体层的前端部包围。

9.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于：

其中，所述低电阻P型半导体层被配置在：构成所述第二齐纳二极管的所述N型半导体层与所述P型半导体层之间的PN结处形成的耗尽层的外侧。

10.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于：

其中，在所述第二齐纳二极管的宽度方向上的两端处，所述第二齐纳二极管的长度方向上相邻的P型半导体层之间相连。

11.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于：

其中，所述第二齐纳二极管从其长度方向上看，所述N型半导体层的数量在所述第二齐纳二极管的宽度方向上是不同的。

12.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于：

其中，所述第二齐纳二极管从其长度方向上看，所述N型半导体层的数量在所述第二齐纳二极管的宽度方向上是相同的。