[发明专利]具有金属载体的器件和用于制造器件的方法

说明书

提出一种器件(100)，所述器件具有载体(1)、半导体本体(2)和在竖直方向上至少局部地设置在载体和半导体本体之间的布线结构(8)，其中‑布线结构为了电接触半导体本体具有第一连接面(31)和第二连接面(32)，所述第一连接面和第二连接面邻接于载体并且与器件的不同的电极性相关联，‑载体具有金属的载体层(4)和第一穿通接触部(61)，其中第一穿通接触部沿竖直方向延伸穿过载体层，通过绝缘层(5)与载体层电绝缘，并且在载体的朝向布线结构的前侧(11)上与连接面(31，32)中的一个电接触，‑器件构成为可经由载体外部电接触，并且‑载体具有至少60体积百分比和/或重量百分比的金属份额。此外，提出一种用于制造这种器件的方法。

技术领域

提出一种具有金属载体的器件和一种用于制造多个器件的方法。

背景技术

具有包含由塑料构成的成形体的载体的光电子器件至少局部地具有不足够的机械稳定性。关于热负荷性和尤其在周期性的温度变化方面的周期稳定性，由塑料、例如由模塑料构成的成形体为潜在的风险。

发明内容

一个目的是：提供一种具有高的机械和热稳定性的器件。此外，另一目的是：提供一种用于制造一个或多个器件的成本适宜的方法。

根据器件的至少一个实施方式，所述器件具有载体和设置在载体上的半导体本体。载体具有朝向半导体本体的前侧和背离半导体本体的后侧。特别地，载体直接地在半导体本体上、例如在半导体复合件上以晶片级来制造。这表示：载体例如不在与半导体本体分开的生产步骤中制造并且例如借助于连接层固定在半导体本体上，而是直接地在半导体本体上、即在存在半导体本体的情况下产生。例如，载体包含多个层，所述层依次施加到半导体本体上。

半导体本体例如具有第一载流子类型的背离载体的前侧的第一半导体层、第二载流子类型的朝向载体的前侧的第二半导体层和在竖直方向上设置在第一和第二半导体层之间的有源层。特别地，有源层是pn结区域，所述pn结区域构成为层或构成为多个层的层序列。有源层优选设计用于：例如在可见、紫外或红外光谱范围中发射电磁辐射，或者吸收电磁辐射并且将所述电磁辐射转换成电信号或电能。半导体本体能够借助于外延方法逐层地施加到生长衬底上。然而，生长衬底能够在随后的方法步骤中从半导体本体移除，使得器件尤其没有生长衬底。

将竖直方向理解为如下方向，所述方向尤其垂直于半导体本体的主延伸面定向。特别地，竖直方向是半导体本体的半导体层的生长方向。将横向方向理解为如下方法，所述方向大致平行于半导体本体的主延伸面伸展。特别地，竖直方向和横向方向彼此横向地、例如彼此垂直地定向。

根据器件的至少一个实施方式，所述器件具有布线结构，所述布线结构沿竖直方向至少局部地设置在载体和半导体本体之间。布线结构设计用于电接触半导体本体。在布线结构的朝向载体的表面上，布线结构能够具有第一连接面和第二连接面，所述第一连接面和第二连接面例如与器件的不同的电极性相关联。载体的前侧尤其邻接于布线结构的第一和/或第二连接面。

根据器件的至少一个实施方式，载体具有金属的载体层。特别地，载体层形成载体的主要组成部分，其中金属的载体层机械地承载和稳定载体以及整个器件。在此，载体的至少50％、例如至少60％或至少70％的体积和/或重量分摊到载体层上。为了电接触半导体本体，载体能够具有第一穿通接触部，所述第一穿通接触部沿竖直方向尤其延伸穿过载体层。在此，第一穿通接触部在横向方向上能够由载体层全面地包围并且通过绝缘层与载体层电绝缘。在载体的前侧上，第一穿通接触部例如与连接面之一物理接触进而电接触。金属的载体层能够与连接面之一导电连接，或者与第一连接面和第二连接面电绝缘。器件能够构成为，使得所述器件能经由载体外部电接触。