[发明专利]用于离子注入器的反射极、阴极、腔壁、狭缝构件以及包括以上部件的离子发生装置

权利要求书

1.一种用于离子注入器的反射极，包括：放置在用于离子注入器的离子发生装置的电弧腔内侧、并且与所述离子发生装置的阴极相对的反射部；以及，从所述反射部延伸并且被施加预定电压的端子部，其中，所述反射部具有耐火金属材料作为形成其形状的母材，并且在所述母材的至少一个表面上具有包括半碳化物层的涂覆结构，

其中，包括半碳化物层的所述涂覆结构包括耐火金属碳化物结构，其中，具有六边形晶体结构的连续或非连续的层被连续或非连续地层叠在具有至少一个晶体结构的连续或非连续的层上，所述至少一个晶体结构选自包括以下项的组：ε晶体结构和β晶体结构。

2.如权利要求1所述的反射极，其特征在于，包括半碳化物层的所述涂覆结构包括耐火金属碳化物结构，其中，连续或非连续的耐火金属一碳化物层被层叠在连续或非连续的耐火金属半碳化物层上。

3.如权利要求2所述的反射极，其特征在于，构成所述耐火金属一碳化物层的晶体结构的重量Wm与构成所述耐火金属半碳化物层的晶体结构的重量Ws之比Wm/Ws被定义为X，X等于或者小于5。

4.如权利要求2所述的反射极，其特征在于，所述母材的重量Ww、构成所述耐火金属一碳化物层的晶体结构的重量Wm、以及构成所述耐火金属半碳化物层的晶体结构的重量Ws之比Ww:Wm:Ws为90～95:0.8～4:9.2～1。

5.如权利要求1所述的反射极，其特征在于，所述半碳化物层具有的最小厚度为2μm，最大厚度为300μm。

6.如权利要求1所述的反射极，其特征在于，所述端子部具有耐火金属材料作为形成其形状的母材，并且在所述母材的至少一个表面上具有包括半碳化物层的涂覆结构。

7.一种离子发生装置，包括如权利要求1所述的反射极。

8.一种电子发射阴极，所述电子发射阴极安装在用于离子注入器的离子发生装置的电弧腔内部，并且包括侧面部，所述侧面部固定到所述电弧腔的一侧上并且限定了灯丝安装的空间，以及前部，所述前部朝向所述电弧腔暴露并且具有电子从其上被发射的表面，其中，所述阴极具有耐火金属材料作为形成其形状的母材，并且在所述母材的至少一个表面上具有包括半碳化物层的涂覆结构，

其中，包括半碳化物层的所述涂覆结构包括耐火金属碳化物结构，其中，具有六边形晶体结构的连续或非连续的层被连续或非连续地层叠在具有至少一个晶体结构的连续或非连续的层上，所述至少一个晶体结构选自包括以下项的组：ε晶体结构和β晶体结构。

9.如权利要求8所述的电子发射阴极，其特征在于，包括半碳化物层的所述涂覆结构包括耐火金属碳化物结构，其中，连续或者非连续的耐火金属一碳化物层被层叠在连续或者非连续的耐火金属半碳化物层上。

10.如权利要求9所述的电子发射阴极，其特征在于，构成所述耐火金属一碳化物层的晶体结构的重量Wm与构成所述耐火金属半碳化物层的晶体结构的重量Ws之比Wm/Ws被定义为X，X等于或者小于5。

11.如权利要求9所述的电子发射阴极，其特征在于，所述母材的重量Ww、构成所述耐火金属一碳化物层的晶体结构的重量Wm、以及构成所述耐火金属半碳化物层的晶体结构的重量Ws之比Ww:Wm:Ws为90～95:0.8～4:9.2～1。

12.如权利要求8所述的电子发射阴极，其特征在于，所述半碳化物层具有的最小厚度为2μm，最大厚度为300μm。

13.一种离子发生装置，包括如权利要求8所述的电子发射阴极。