[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：

岛，由包含单层或多个不同的金属层的金属膜形成；

半导体芯片，设于所述岛的上表面，具有相对的一对侧部；

多个信号端子，配置于所述半导体芯片的至少所述一对侧部的外周侧，由所述金属膜形成；

接地用端子，配置于所述多个信号端子的外周侧，由所述金属膜形成；

导电性连接构件，将所述半导体芯片的多个电极的每一个与所述多个信号端子的每一个电连接；

密封树脂，以使得所述岛的下表面、所述多个信号端子的下表面和所述接地用端子的下表面露出于外部的方式将所述岛、所述半导体芯片、所述导电性连接构件、所述多个信号端子以及所述接地用端子密封；以及

屏蔽金属膜，覆膜于所述密封树脂的外周侧面和上表面以及所述接地用端子的一部分。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述多个信号端子和所述接地用端子由金属箔、糊或镀敷形成。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，所述屏蔽金属膜具有至少1个通过蒸镀、溅射或镀敷形成的层。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，所述屏蔽金属膜具有0.1～20μm的厚度。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体装置，其中，

所述半导体芯片具有矩形形状，

所述多个信号端子沿所述半导体芯片的四边配置，

所述接地用端子在所述多个信号端子的外周侧围绕所述多个信号端子而形成。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体装置，其中，

所述接地用端子具有内周部和比所述内周部薄的外周部，形成为阶梯状，

所述屏蔽金属膜与所述内周部的与所述外周部的交界处的阶梯部的外周侧面接合。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，所述密封树脂的所述外周侧面与所述接地用端子的所述阶梯部的所述外周侧面处于同一平面。

8.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，在所述接地用端子的所述外周部中，沿所述内周部排列有多个分离的部分。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，在排列于所述接地用端子的所述外周部的所述多个分离的部分的每一个中，以与所述外周部同样的厚度填充有所述密封树脂。

10.一种半导体装置的制造方法，该方法中，

在基础构件的上表面形成电子部件构成体，所述电子部件构成体是：形成岛、信号端子和配置于所述信号端子的外周侧的接地用端子，在所述岛的上表面搭载半导体芯片，通过导电性连接构件使所述半导体芯片的电极与所述信号端子电连接，

用密封树脂将所述电子部件构成体密封，

将对应于所述接地用端子的至少一部分的部分的所述密封树脂除去，

使屏蔽金属膜覆膜于所述密封树脂的外周侧面和所述接地用端子的所述至少一部分，

将所述基础构件从所述岛、所述信号端子、所述接地用端子和所述密封树脂剥离。

11.根据权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其中，所述岛、所述信号端子和所述接地用端子在所述基础构件上通过电铸而形成。

12.根据权利要求10或11所述的半导体装置的制造方法，其中，

在将对应于所述接地用端子的所述至少一部分的所述部分所述密封树脂除去时，将所述接地用端子的上部侧除去而在所述接地用端子中形成阶梯部，在使所述屏蔽金属膜覆膜于所述接地用端子的所述至少一部分时，使所述屏蔽金属膜覆膜于所述接地用端子的所述阶梯部的至少一部分。

13.根据权利要求10～12中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，在所述基础构件上形成所述电子部件构成体时，在所述基础构件上邻接地形成包括第1电子部件构成体和第2电子部件构成体的多个所述电子部件构成体，同时，一体化形成作为所述第1电子部件构成体的所述接地用端子的第1接地用端子和作为所述第2电子部件构成体的所述接地用端子的第2接地用端子，

将所述基础构件剥离后，进一步将一体化的所述第1接地用端子和所述第2接地用端子切断，所述第1接地用端子与所述第2接地用端子分离。

14.根据权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其中，

在将所述基础构件从所述岛、所述信号端子、所述接地用端子和所述密封树脂剥离后，进一步将所述岛、所述信号端子、所述接地用端子和所述屏蔽金属膜所覆的所述密封树脂搭载于切割带上。