[发明专利]配线基板及其制造方法在审
申请号: | 201680040449.8 | 申请日: | 2016-07-06 |
公开(公告)号: | CN107851646A | 公开(公告)日: | 2018-03-27 |
发明(设计)人: | 土田彻勇起 | 申请(专利权)人: | 凸版印刷株式会社 |
主分类号: | H01L27/14 | 分类号: | H01L27/14;H01L23/12;H01L23/15;H05K1/02 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人: | 张苏娜,常海涛 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 配线基板 及其 制造 方法 | ||
1.一种配线基板,包括:
具有光透过性的基材;
在所述基材的至少一侧层叠金属层和树脂层而成的层叠体;以及
设置在所述层叠体的一部分中的作为开口的光透过部,
所述配线基板的特征在于:
限定所述光透过部的侧面的至少一部分由所述树脂层构成,
在所述基材的表面附近,所述金属层的一部分被设置为与构成限定所述光透过部的所述侧面的至少一部分的树脂层邻接且包围该树脂层。
2.一种配线基板,包括:
具有光透过性的基材;
在所述基材的至少一侧层叠金属层和树脂层而成的层叠体;以及
设置在所述层叠体的一部分中的作为开口的光透过部,
所述配线基板的特征在于:
在所述基材的表面附近,所述金属层的一部分被设置为包围所述光透过部。
3.根据权利要求1或2所述的配线基板,其特征在于:所述基材的线膨胀系数为-1ppm/K以上10ppm/K以下。
4.根据权利要求1或2所述的配线基板,其特征在于:所述基材为玻璃。
5.一种配线基板的制造方法,所述配线基板具有光透过部,所述方法包括:
以覆盖具有光透过性的基材上的所述光透过部的形成区域及其周围的方式形成金属层的步骤;
以覆盖所形成的所述金属层的方式形成树脂层的步骤;
选择性地除去所述光透过部的形成区域上的所述树脂层的一部分而形成开口部的步骤;以及
除去从所述开口部露出的所述金属层的步骤。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于凸版印刷株式会社,未经凸版印刷株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201680040449.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:接合结构体
- 下一篇:用于增材制造的组合物和方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的