[发明专利]铁氧体叠层体和噪声抑制片有效
申请号: | 201680041151.9 | 申请日: | 2016-07-11 |
公开(公告)号: | CN107836140B | 公开(公告)日: | 2019-12-06 |
发明(设计)人: | 冈野洋司;吉田明广;山本一美;表祐治 | 申请(专利权)人: | 户田工业株式会社 |
主分类号: | H05K9/00 | 分类号: | H05K9/00;B32B7/025;H01F1/34 |
代理公司: | 11322 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙淳;谢弘<国际申请>=PCT/JP20 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 铁氧体 叠层体 噪声 抑制 | ||
本发明提供在从10MHz到1GHz的宽的频率范围中吸收噪声的噪声抑制片。该噪声抑制片为将包含导电性填料和树脂的导电层与包含铁氧体的磁性层叠层得到的铁氧体叠层体,上述导电层的表面电阻为100~5000Ω/□,上述铁氧体被分割成小片状,铁氧体在10MHz时的磁导率的实部为130~480,磁导率的虚部为30~440。
技术领域
本发明涉及铁氧体叠层体和包含该铁氧体叠层体的噪声抑制片,其中,上述铁氧体叠层体包括:包含导电性填料和树脂的导电层、以及包含烧结铁氧体的磁性层。
背景技术
近年来的数码电子设备的进步显著,特别是在以智能手机、便携 电话、数码相机和笔记本个人电脑为代表的移动电子设备中,伴随动 作信号的高频化,由于小型化和轻质化,电子部件、配线基板的高密 度安装被列为最大的技术课题。
由于电子设备内的电子部件、配线基板的高密度安装和动作信号 的高频化发展,因此所产生的不必要的辐射对周围的部件产生大的不 良影响。因此,出于抑制从电子设备的微处理器、LSI或液晶平板等放 出的不必要的辐射的目的,进行将噪声抑制片贴附于电子电路或配线 基板等的操作。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开平7-212079号公报
专利文献2:日本特开2009-290075号公报
专利文献3:日本特开2013-229541号公报
发明内容
发明所要解决的课题
在专利文献1中,公开了作为软磁性粉末含有平均粒径10μm的扁 平状的Fe-Al-Si合金粉末的噪声抑制片,显示在数百MHz~数GHz 时具有噪声抑制效果。
在专利文献2中,公开了由Ni-Zn铁氧体烧结体构成的噪声抑制 片。该文献中,通过控制Ni-Zn铁氧体的复数磁导率和体积电阻率, 提供在从10MHz到1GHz中电磁波的反射少的噪声抑制片,但在 10MHz时的吸收量低至数%。
在专利文献3中,公开了在包含导电性填料和树脂的导电层上叠 层包含软磁性粉末和树脂的磁性层得到的噪声抑制片,在数百MHz~ 数GHz时具有噪声抑制效果。
如上所述,提出了各种在数百MHz~数GHz时具有噪声抑制效果 的噪声抑制片的方案,但尚未提出对于在数十MHz时也产生噪声的电 子部件具有充分效果的噪声抑制片。
因此,本发明的技术的课题在于提供在10MHz和1GHz时能够发 挥充分的噪声抑制效果的铁氧体叠层体、噪声抑制片。
用于解决课题的方法
上述技术的课题能够通过如下所述的本发明实现。
即,本发明是一种铁氧体叠层体,其包括:包含导电性填料和树脂的导电层;和包含烧结铁氧体的磁性层(本发明1)。
另外,本发明是如本发明1所述的铁氧体叠层体,其中,该叠层 体的利用微带线测定的透过衰减量在1GHz时为3.6~8dB,利用环形 天线测定的透过衰减量在10MHz时为12~30dB(本发明2)。
另外,本发明是如本发明1或2所述的铁氧体叠层体,其中,上 述磁性层在10MHz时的磁导率的实部为130~480,磁导率的虚部为 30~440(本发明3)。
另外,本发明是如本发明1~3中任一项所述的铁氧体叠层体,其 中,上述导电层的表面电阻为100~5000Ω/□(本发明4)。
另外,本发明是如本发明1~4中任一项所述的铁氧体叠层体,其 中,导电层与磁性层隔着粘接层叠层(本发明5)。
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