[发明专利]发光元件

权利要求书

1.一种发光元件，包括：

(A)堆叠结构，通过堆叠以下层而配置成：

第一化合物半导体层，由GaN基化合物半导体制成并且具有第一面和与该第一面相对的第二面，

活性层，由GaN基化合物半导体制成并且与所述第一化合物半导体层的第二面接触，以及

第二化合物半导体层，由GaN基化合物半导体制成，所述第二化合物半导体层具有第一面和与该第一面相对的第二面，并且所述第二化合物半导体层在所述第二化合物半导体层的第一面处与所述活性层接触；

(B)模式损耗作用部分，设置在所述第二化合物半导体层的第二面上并且构成作用于振荡模式损耗的增加或减少的模式损耗作用区域；

(C)第二电极，形成在从所述第二化合物半导体层的第二面到所述模式损耗作用部分的一区域上；

(D)第二光反射层，形成在所述第二电极上；

(E)第一光反射层，形成在所述第一化合物半导体层的第一面上；以及

(F)第一电极，电连接到所述第一化合物半导体层，

其中，电流注入区域、围绕所述电流注入区域的电流非注入内侧区域和围绕所述电流非注入内侧区域的电流非注入外侧区域形成在所述堆叠结构上，并且

所述模式损耗作用区域的投影图像和所述电流非注入外侧区域的投影图像彼此重叠。

2.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述电流非注入外侧区域位于所述模式损耗作用区域的下方。

3.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述电流注入区域的投影图像的面积由S₁表示，并且所述电流非注入内侧区域的投影图像的面积由S₂表示，满足

0.01≤S₁/(S₁+S₂)≤0.7。

4.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述电流非注入内侧区域和所述电流非注入外侧区域通过将离子注入所述堆叠结构内而形成。

5.根据权利要求4所述的发光元件，其中，所述离子的种类为选自包括硼、质子、磷、砷、碳、氮、氟、氧、锗和硅的组中的至少一种的离子。

6.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述电流非注入内侧区域和所述电流非注入外侧区域是通过在所述第二化合物半导体层的第二面上的等离子体照射、对所述第二化合物半导体层的第二面的灰化处理或对所述第二化合物半导体层的第二面的反应离子蚀刻处理而形成的。

7.根据权利要求4至6中任一项所述的发光元件，其中，从所述电流注入区域中的所述活性层到所述第二化合物半导体层的第二面的光学距离由L₂表示，并且从所述模式损耗作用区域中的所述活性层到所述模式损耗作用部分的顶面的光学距离由L₀表示，满足

L₀>L₂。

8.根据权利要求4至6中任一项所述的发光元件，其中，通过模式损耗作用区域将具有更高模式的生成光朝向谐振器结构的外侧散发，由此振荡模式损耗增加，所述谐振器结构由所述第一光反射层和所述第二光反射层配置成。

9.根据权利要求4至6中任一项所述的发光元件，其中，所述模式损耗作用部分由介电材料或金属材料制成。

10.根据权利要求4至6中任一项所述的发光元件，其中，所述模式损耗作用部分由合金材料制成。

11.根据权利要求9所述的发光元件，

其中，所述模式损耗作用部分由介电材料制成，并且

所述模式损耗作用部分的光学厚度是从由所述发光元件产生的光的波长的四分之一的整数倍偏移的值。