[发明专利]基于变压器的电源转换器的滞环控制在审

专利信息
申请号: 201680042480.5 申请日: 2016-07-25
公开(公告)号: CN107925343A 公开(公告)日: 2018-04-17
发明(设计)人: M·D·西曼 申请(专利权)人: 德克萨斯仪器股份有限公司
主分类号: H02M1/08 分类号: H02M1/08;H02M3/325;H02M3/337;H05K1/00
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司11245 代理人: 赵志刚,赵蓉民
地址: 美国德*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 基于 变压器 电源 转换器 控制
【权利要求书】:

1.一种设备,其包含:

电源转换器,其用于将输入电压转换为输出电压,所述电源转换器进一步包括:

变压器,其具有分别耦合在输入电压端子和输出电压端子之间的初级侧和次级侧;

至少一个初级侧电源开关,其经耦合以从所述输入电压端子向所述变压器的所述初级侧提供电流;

至少一个电感器,其耦合在所述变压器的所述次级侧和所述输出电压端子之间;

至少一个次级侧开关,其耦合在与所述电感器和所述变压器的所述次级侧耦合的节点和接地电势之间;以及

滞环控制器,其经耦合以向所述至少一个初级侧开关提供第一接通时间信号和向所述至少一个次级侧开关提供第二接通时间信号,所述滞环控制器具有与所述输出电压耦合的反馈输入,并被配置用于感测在所述输出处的电压,并且具有与所述至少一个电感器耦合的至少一个电流输入,并进一步经配置用于接收对应于所述至少一个电感器中流动的电流的信号。

2.根据权利要求1所述的设备,其中所述电源转换器进一步包括具有电流倍增器输出的半桥转换器。

3.根据权利要求2所述的设备,其中所述电源转换器进一步包括:

第二初级侧电源开关,其耦合在所述变压器的所述初级侧和负电压输入之间;

第二电感器,其耦合在所述变压器的所述次级侧和所述输出电压端子之间;以及

第二次级侧开关,其耦合在与所述第二电感器和所述变压器的所述次级侧耦合的第二节点和用于接收接地电势的端子之间;

其中,所述滞环控制器进一步被配置为向所述第二初级侧功电源开关和所述第二次级侧开关提供接通时间信号。

4.根据权利要求3所述的设备,其中,所述电源转换器进一步包括两个交替周期,并且所述至少一个电感器和第二电感器在所述输出电压端子处形成电流倍增器。

5.根据权利要求1所述的设备,其中,所述电源转换器进一步包括放大器,所述放大器被配置为比较接收的所述输出电压和参考电压并输出误差信号,所述滞环控制器响应于所述误差信号而将所述接通时间信号输出到所述至少一个初级侧电源开关。

6.根据权利要求5所述的设备,其中,所述电源转换器进一步包括补偿器放大器,其放大和过滤所述误差信号,并输出下垂电压信号。

7.根据权利要求6所述的设备,其中,所述电源转换器进一步包括脉冲定序器,其响应于比较器生成所述至少一个接通时间信号到所述至少一个初级侧驱动器开关,所述比较器接收对应于所述至少一个电感器中的求和电流的电压以及所述误差信号和下垂电压信号中的至少一个,并且响应于比较,输出接通时间脉冲。

8.根据权利要求1所述的设备,其中,所述至少一个初级侧电源开关和所述次级侧开关进一步包括场效应晶体管即FET。

9.根据权利要求8所述的设备,其中,所述FET晶体管进一步包括硅MOSFET器件。

10.根据权利要求1所述的设备,其中,所述至少一个初级侧电源开关和所述次级侧开关还包括GaN器件。

11.根据权利要求1所述的设备,其中所述电源转换器进一步包括具有电流加倍器输出的全桥转换器。

12.根据权利要求11所述的设备,其中,所述全桥变换器进一步包括第二初级侧驱动器开关、第三驱动器开关和第四驱动器开关,所述第二初级侧驱动器开关耦合在所述变压器的所述初级侧和负输入电压端子之间,所述第三驱动器开关耦合在所述输入电压端子和所述变压器的所述初级侧之间,所述第四驱动器开关耦合在所述变压器的所述初级侧和所述负输入端子之间。

13.根据权利要求12所述的设备,其中,所述第一、第二、第三和第四开关进一步包括GaN晶体管。

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