[发明专利]包括不同材料的销钉和盘的近场换能器(NFT)

权利要求书

1.一种具有空气轴承表面(ABS)的设备，所述设备包括：

近场换能器(NFT)，所述近场换能器包括：

盘，被配置用于将入射在其上的光子转换成等离子体；以及

销钉，被配置用于将从所述盘耦合的等离子体耦合到相邻的磁存储介质中，

其中，所述盘包括盘材料并且所述销钉包括销钉材料，其中，所述盘材料不同于所述销钉材料，并且其中，所述盘材料具有介电常数的第一实部并且销钉材料具有介电常数的第二实部，并且介电常数的所述第二实部小于介电常数的所述第一实部，并且其中所述盘材料和所述销钉材料独立地包括锑(Sb)、铋(Bi)、铬(Cr)、钴(Co)、铒(Er)、钆(Gd)、镓(Ga)、铪(Hf)、铟(In)、铱(Ir)、铁(Fe)、锰(Mn)、钼(Mo)、镍(Ni)、铌(Nb)、锇(Os)、钯(Pd)、铂(Pt)、铼(Re)、铑(Rh)、钌(Ru)、钪(Sc)、硅(Si)、钽(Ta)、锡(Sn)、钛(Ti)、钒(V)、钨(W)、镱(Yb)、钇(Y)、锆(Zr)或其组合；并且所述盘不包括金(Au)。

2.根据权利要求1所述的设备，其中，所述盘材料包括钽(Ta)。

3.根据权利要求1所述的设备，其中，所述盘材料包括AlTi、ZrN、TiN或其组合。

4.根据权利要求1所述的设备，其中，所述销钉材料包括锆(Zr)、钽(Ta)、钯(Pd)、铂(Pt)、镍(Ni)、钴(Co)、铱(Ir)、铑(Rh)或其组合。

5.根据权利要求1所述的设备，其中，所述销钉材料包括铑(Rh)、铱(Ir)、钯(Pd)、铂(Pt)或其组合。

6.根据权利要求1所述的设备，其中，所述销钉材料包括铑(Rh)、铱(Ir)或其组合。

7.根据权利要求1所述的设备，其中，所述销钉材料包括金(Au)、铑(Rh)、铱(Ir)三元合金；铑(Rh)、铱(Ir)、钯(Pd)三元合金；或其组合。

8.根据权利要求1所述的设备，进一步包括与所述盘相邻的散热器，所述散热器包括铝(Al)、锑(Sb)、铋(Bi)、铬(Cr)、钴(Co)、铜(Cu)、铒(Er)、钆(Gd)、镓(Ga)、金(Au)、铪(Hf)、铟(In)、铱(Ir)、铁(Fe)、锰(Mn)、钼(Mo)、镍(Ni)、铌(Nb)、锇(Os)、钯(Pd)、铂(Pt)、铼(Re)、铑(Rh)、钌(Ru)、钪(Sc)、硅(Si)、银(Ag)、钽(Ta)、锡(Sn)、钛(Ti)、钒(V)、钨(W)、镱(Yb)、钇(Y)、锆(Zr)或其组合。

9.根据权利要求1所述的设备，其中，所述销钉具有在所述设备的所述空气轴承表面处的前表面、相反的后表面、从所述前表面延伸到所述后表面的顶表面、从所述前表面延伸到所述后表面的两个侧表面、以及从所述前表面延伸到所述后表面的底表面；并且所述设备进一步包括位于所述销钉的至少一个表面上的粘附层。

10.根据权利要求9所述的设备，其中，所述粘附层包括硼(B)、碳(C)、铈(Ce)、镧(La)、磷(P)、钪(Sc)、硅(Si)、钍(Th)、钛(Ti)、铀(U)、钒(V)、钇(Y)或其组合。

11.根据权利要求9所述的设备，其中，所述粘附层包括钇(Y)、碳(C)或其组合。