[发明专利]功率半导体模块有效

专利信息
申请号: 201680043293.9 申请日: 2016-07-04
公开(公告)号: CN107851620B 公开(公告)日: 2021-01-22
发明(设计)人: 弗兰克·奥斯特瓦尔德;罗纳德·艾泽勒;霍尔格·乌利齐 申请(专利权)人: 丹佛斯硅动力有限责任公司
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 王静
地址: 德国弗*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 功率 半导体 模块
【权利要求书】:

1.一种功率半导体模块,包括:

基板(120,220);

半导体(110,210),该半导体设置在该基板(120,220)的顶侧上;以及

封装体(140,240),该封装体形成于该半导体(110,210)和该基板(120,220)上,

其中,该封装体(140,240)在其顶侧处具有开口(141,142,241,242),该半导体(110,210)的端子触点和该基板(120,220)的端子触点通过这些开口暴露于外部并且可从外部触及,

其中,该半导体(110,210)和该基板(120,220)的暴露于外部并且可从外部触及的这些端子触点与电路板压力接触。

2.根据权利要求1所述的功率半导体模块,

其中,该半导体(110,210)的暴露于外部并且可从外部触及的端子触点在其上设置有支承表面(130,230)。

3.根据权利要求2所述的功率半导体模块,

其中,该支承表面(130,230)是基于铜的支承表面并且通过该支承表面(130,230)与该半导体(110,210)之间的顶侧连接层(160,260)连接至该半导体(110,210),

其中,该顶侧连接层(160,260)是通过将该支承表面(130,230)银烧结到该半导体(110,210)上而形成的银烧结层。

4.根据权利要求1所述的功率半导体模块,其中,该半导体(110,210)的控制端子(111,211)和第一电源端子(113,213)连接至该基板(120,220)的对应接触区域,

其中,可通过该封装体(140,240)中的这些开口中的第一开口(141,241)从外部触及该基板(120,220)的连接至该控制端子(111,211)的接触区域,

其中,可通过该封装体(140,240)中的这些开口中的第二开口(142,242)从外部触及该半导体(110,210)的第二电源端子(112,212)的端子触点。

5.根据权利要求4所述的功率半导体模块,

其中,该控制端子(111)和该第二电源端子(112)设置在该半导体(110)的顶侧上,并且该第一电源端子(113)设置在该半导体(110)的面向该基板(120)的底侧上;并且

其中,该控制端子(111)通过键合线(150)连接至该基板(120)的对应接触区域,并且可通过该封装体(140)中的该第一开口(141)从外部触及该基板(120)的通过该键合线(150)连接至该控制端子(111)的该接触区域。

6.根据权利要求4所述的功率半导体模块,

其中,该第二电源端子(212)设置在该半导体(210)的顶侧上,该控制端子(211)和该第一电源端子(213)设置在该半导体(210)的面向该基板(220)的底侧上;并且

其中,该控制端子(211)和该第一电源端子(213)通过该半导体(210)与该基板(220)之间的底侧连接层(260’)连接至该基板(220)的对应接触区域,并且可通过该封装体(240)中的该第一开口(241)从外部触及该基板(220)的通过该底侧连接层(260’)连接至该控制端子(211)的该接触区域。

7.根据权利要求1所述的功率半导体模块,进一步包括:

底板(101,201);以及

绝缘膜(102,202),该绝缘膜形成于该底板(101,201)的顶侧上,

其中,该基板(120,220)设置在该绝缘膜(102,202)的顶侧上。

8.根据权利要求7所述的功率半导体模块,

其中,该封装体(140,240)由与该基板和该底板的材料热机械适配的材料制成。

9.根据权利要求1所述的功率半导体模块,其中,该封装体(140,240)是模制于该基板(120,220)和该半导体(110,210)上的模制化合物。

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