[发明专利]功率半导体模块有效
申请号: | 201680043293.9 | 申请日: | 2016-07-04 |
公开(公告)号: | CN107851620B | 公开(公告)日: | 2021-01-22 |
发明(设计)人: | 弗兰克·奥斯特瓦尔德;罗纳德·艾泽勒;霍尔格·乌利齐 | 申请(专利权)人: | 丹佛斯硅动力有限责任公司 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 王静 |
地址: | 德国弗*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 功率 半导体 模块 | ||
1.一种功率半导体模块,包括:
基板(120,220);
半导体(110,210),该半导体设置在该基板(120,220)的顶侧上;以及
封装体(140,240),该封装体形成于该半导体(110,210)和该基板(120,220)上,
其中,该封装体(140,240)在其顶侧处具有开口(141,142,241,242),该半导体(110,210)的端子触点和该基板(120,220)的端子触点通过这些开口暴露于外部并且可从外部触及,
其中,该半导体(110,210)和该基板(120,220)的暴露于外部并且可从外部触及的这些端子触点与电路板压力接触。
2.根据权利要求1所述的功率半导体模块,
其中,该半导体(110,210)的暴露于外部并且可从外部触及的端子触点在其上设置有支承表面(130,230)。
3.根据权利要求2所述的功率半导体模块,
其中,该支承表面(130,230)是基于铜的支承表面并且通过该支承表面(130,230)与该半导体(110,210)之间的顶侧连接层(160,260)连接至该半导体(110,210),
其中,该顶侧连接层(160,260)是通过将该支承表面(130,230)银烧结到该半导体(110,210)上而形成的银烧结层。
4.根据权利要求1所述的功率半导体模块,其中,该半导体(110,210)的控制端子(111,211)和第一电源端子(113,213)连接至该基板(120,220)的对应接触区域,
其中,可通过该封装体(140,240)中的这些开口中的第一开口(141,241)从外部触及该基板(120,220)的连接至该控制端子(111,211)的接触区域,
其中,可通过该封装体(140,240)中的这些开口中的第二开口(142,242)从外部触及该半导体(110,210)的第二电源端子(112,212)的端子触点。
5.根据权利要求4所述的功率半导体模块,
其中,该控制端子(111)和该第二电源端子(112)设置在该半导体(110)的顶侧上,并且该第一电源端子(113)设置在该半导体(110)的面向该基板(120)的底侧上;并且
其中,该控制端子(111)通过键合线(150)连接至该基板(120)的对应接触区域,并且可通过该封装体(140)中的该第一开口(141)从外部触及该基板(120)的通过该键合线(150)连接至该控制端子(111)的该接触区域。
6.根据权利要求4所述的功率半导体模块,
其中,该第二电源端子(212)设置在该半导体(210)的顶侧上,该控制端子(211)和该第一电源端子(213)设置在该半导体(210)的面向该基板(220)的底侧上;并且
其中,该控制端子(211)和该第一电源端子(213)通过该半导体(210)与该基板(220)之间的底侧连接层(260’)连接至该基板(220)的对应接触区域,并且可通过该封装体(240)中的该第一开口(241)从外部触及该基板(220)的通过该底侧连接层(260’)连接至该控制端子(211)的该接触区域。
7.根据权利要求1所述的功率半导体模块,进一步包括:
底板(101,201);以及
绝缘膜(102,202),该绝缘膜形成于该底板(101,201)的顶侧上,
其中,该基板(120,220)设置在该绝缘膜(102,202)的顶侧上。
8.根据权利要求7所述的功率半导体模块,
其中,该封装体(140,240)由与该基板和该底板的材料热机械适配的材料制成。
9.根据权利要求1所述的功率半导体模块,其中,该封装体(140,240)是模制于该基板(120,220)和该半导体(110,210)上的模制化合物。
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