[发明专利]用于气体消除的方法及装置

权利要求书

1.一种等离子体源，包括：

介电管；

线圈天线，所述线圈天线围绕所述介电管，其中所述线圈天线包括多个匝，所述多个匝具有依次连接的第一组匝、第二组匝和第三组匝，并且所述线圈天线的两端连接至接地或电源；和

第一金属连接器，所述第一金属连接器连接所述第二组匝的第一对匝，其中所述第一金属连接器经构造以形成将第一等离子体区与第二等离子区分开的缓冲区，在所述缓冲区中没有等离子体形成在所述介电管中。

2.根据权利要求1所述的等离子体源，其中所述第一对匝包括两个相邻的匝。

3.根据权利要求1所述的等离子体源，其中所述第一对匝包括两个匝，且所述等离子体源在所述两个匝之间进一步包括一个或多个匝。

4.根据权利要求1所述的等离子体源，进一步包括第二金属连接器，所述第二金属连接器连接所述第一组匝的第二对匝。

5.根据权利要求1所述的等离子体源，其中所述第一金属连接器包括电气级传导材料。

6.根据权利要求5所述的等离子体源，其中所述电气级传导材料包括铜、铝或黄铜。

7.根据权利要求1所述的等离子体源，其中所述介电管包括氮化铝、蓝宝石或石英。

8.一种气体消除系统，包括：

电源；和

等离子体源，其中所述等离子体源包括：

介电管，所述介电管具有入口和出口；和

线圈天线，所述线圈天线围绕所述介电管，其中所述线圈天线包括多个匝，所述多个匝具有依次连接的第一组匝、第二组匝和第三组匝，并且所述线圈天线的两端连接至接地或电源；和

第一金属连接器，所述第一金属连接器连接所述第二组匝的第一对匝，其中所述第一金属连接器经构造以形成将第一等离子体区与第二等离子区分开的缓冲区，在所述缓冲区中没有等离子体形成在所述介电管中。

9.根据权利要求8所述的气体消除系统，进一步包括第二金属连接器，所述第二金属连接器连接所述多个匝的第二对匝，所述第二对匝位于与所述第一对匝的位置不同的位置处。

10.根据权利要求8所述的气体消除系统，其中所述线圈天线是空心的。

11.根据权利要求8所述的气体消除系统，其中所述电源为射频电源，所述射频电源用于提供大于3kW的射频功率。

12.一种真空处理系统，包括：

真空处理腔室；和

等离子体源，其中所述等离子体源包括：

介电管，所述介电管具有入口和出口；和

线圈天线，所述线圈天线围绕所述介电管，其中所述线圈天线包括多个匝，所述多个匝具有依次连接的第一组匝、第二组匝和第三组匝，并且所述线圈天线的两端连接至接地或电源；和

第一金属连接器，所述第一金属连接器连接所述第二组匝的第一对匝，其中所述第一金属连接器经构造以形成将第一等离子体区与第二等离子区分开的缓冲区，在所述缓冲区中没有等离子体形成在所述介电管中。

13.一种等离子体源，包括：

介电管；

线圈天线，所述线圈天线围绕所述介电管，其中所述线圈天线包括多个匝，所述多个匝具有依次连接的第一组匝、第二组匝和第三组匝；

第一端子，所述第一端子耦接至所述线圈天线的第一端，并构造为耦接至电源；

第二端子，所述第二端子耦合至所述线圈天线的第二端，并构造为耦合至电源或耦接至地；

第三端子，所述第三端子耦合至所述线圈天线的所述第二组匝的第一匝，所述第三端子设置在所述第一端子和所述第二端子之间；

第四端子，所述第四端子耦合至所述线圈天线的所述第二组匝的第二匝，所述第四端子设置在所述第二端子和所述第三端子之间；和

第一导电连接器，所述第一导电连接器连接至所述第三端子和所述第四端子，所述第一导电连接器电性短接所述第二组匝的所述第一匝和所述第二匝，其中所述第一导电连接器设置在所述第一端子和所述第二端子之间，并被构造为当向所述线圈天线施加功率时在所述第二组匝的所述第一匝和所述第二匝之间形成将第一等离子体与第二等离子体分开的缓冲区，其中在所述缓冲区中没有等离子体形成在所述介电管中。