[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，具备基板和支撑于上述基板的薄膜晶体管，其特征在于，

上述薄膜晶体管具有：

栅极电极；

栅极绝缘层，其覆盖上述栅极电极；

金属氧化物层，其配置在上述栅极绝缘层上，包括沟道区域以及分别配置在上述沟道区域的两侧的源极接触区域和漏极接触区域；

第1电极，其以与上述金属氧化物层的上述源极接触区域接触的方式配置；

第1绝缘层，其形成在上述金属氧化物层和上述第1电极上，具有使上述金属氧化物层的一部分露出的第1开口部；以及

第2电极，其形成在上述第1绝缘层上以及包括上述第1开口部的接触孔内，具有透光性，

上述第2电极在上述接触孔内仅与上述金属氧化物层中的通过上述接触孔露出的区域的一部分接触，

上述金属氧化物层中的通过上述接触孔露出的区域包括：

与上述第2电极接触的漏极接触区域；以及

不与上述第2电极接触并且是上述沟道区域的一部分的非接触区域，

在从上述基板的法线方向观看时，上述第2电极不与上述金属氧化物层的上述沟道区域重叠。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，

在从上述基板的法线方向观看时，上述第2电极的上述沟道区域侧的边缘横穿上述金属氧化物层的通过上述接触孔露出的区域而延伸。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，

还具备：形成在上述第1绝缘层和上述第2电极上的第2绝缘层；以及形成在上述第2绝缘层上的具有透光性的第3电极，

上述金属氧化物层中的上述非接触区域与上述第2绝缘层接触。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，

上述第2绝缘层具有能对上述金属氧化物层进行还原的性质，上述金属氧化物层的与上述第2绝缘层接触的部分是电阻比上述沟道区域低的低电阻区域。

5.根据权利要求1或2所述的半导体装置，

在上述第1绝缘层与上述第2电极之间，还具备形成在上述第1绝缘层上的具有透光性的第3电极和覆盖上述第3电极的第2绝缘层，

上述第2绝缘层具有第2开口部，在从上述基板的法线方向观看时，上述第2开口部的至少一部分与上述第1开口部重叠，

上述接触孔包括上述第1开口部和上述第2开口部，

上述第2电极形成在上述第2绝缘层上和上述接触孔内。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，

在上述接触孔的侧壁处，上述第2开口部的侧面与上述第1开口部的侧面是对齐的。

7.根据权利要求1或2所述的半导体装置，

上述第2电极是像素电极。

8.根据权利要求5所述的半导体装置，

上述第3电极的一部分通过上述第2开口部露出，

上述第2电极在上述接触孔内与上述金属氧化物层的上述漏极接触区域和上述第3电极的一部分接触，由此，上述第3电极通过上述第2电极连接到上述漏极接触区域。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，

上述第3电极是像素电极。

10.根据权利要求1或2所述的半导体装置，

上述薄膜晶体管具有沟道蚀刻结构。

11.根据权利要求1所述的半导体装置，

还具备配置在上述金属氧化物层与上述第1电极之间的、至少覆盖上述沟道区域的保护层。

12.根据权利要求1或2所述的半导体装置，

上述金属氧化物层含有锡，上述第2电极不含锡。

13.根据权利要求1或2所述的半导体装置，

上述金属氧化物层含有In-Sn-Zn-O系氧化物。