[发明专利]电解电容器及其制造方法

说明书

本发明涉及一种电解电容器，其具有阳极体、形成于阳极体上的电介质层、覆盖电介质层的至少一部分的第1导电性高分子层、以及覆盖第1导电性高分子层的至少一部分的第2导电性高分子层。第1导电性高分子层包括含有第1导电性高分子和第1掺杂剂、且覆盖电介质层的至少一部分的P1层，和在P1层上形成的含有第1硅烷化合物的S层。第2导电性高分子层含有第2导电性高分子、第2掺杂剂以及碱性化合物。其结果是，使电解电容器的ESR得以降低。

技术领域

本发明涉及具有导电性高分子层的电解电容器及其制造方法。

背景技术

作为小型、大容量且低ESR(Equivalent Series Resistance：等效串 联阻抗)的电容器，具有形成了电介质层的阳极体、和形成为覆盖电介 质层的至少一部分的导电性高分子层的电解电容器被认为是有前途的。 导电性高分子层含有π共轭系高分子等导电性高分子。

从提高电解电容器的性能的角度考虑，人们提出了形成多个导电性 高分子层的方案。在专利文献1中，记载着具有第1导电性高分子层和 第2导电性高分子层的固体电解电容器。专利文献1从提高导电性高分 子层的附着力的角度考虑，提出了在第1导电性高分子层和第2导电性 高分子层之间、或在第2导电性高分子层内设置胺化合物的层的方案。

如果像专利文献1那样在第1导电性高分子层上形成胺化合物的 层，则可以期待能够提高第2导电性高分子层对第1导电性高分子层的 被覆性。但是，另一方面，含有该胺化合物的层的导电性高分子层有可 能使导电性降低，从而ESR升高。

于是，近年来，电解电容器要求为降低ESR的进一步改善。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2012-043958号公报

发明内容

本发明的一个方面涉及一种电解电容器，其具有阳极体、形成于所 述阳极体上的电介质层、覆盖所述电介质层的至少一部分的第1导电性 高分子层、以及覆盖所述第1导电性高分子层的至少一部分的第2导电 性高分子层；其中，所述第1导电性高分子层包括：P1层，其含有第1 导电性高分子和第1掺杂剂，并覆盖所述电介质层的至少一部分；以及 S层，其形成于所述P1层上，并含有第1硅烷化合物；所述第2导电 性高分子层含有第2导电性高分子、第2掺杂剂以及碱性化合物。

根据本发明的一个方面，可以使电解电容器的ESR降低。

本发明的另一个方面涉及一种电解电容器的制造方法，其包括：第 1工序，其在形成有电介质层的阳极体的所述电介质层上，形成含有第 1导电性高分子和第1掺杂剂、且覆盖所述电介质层的至少一部分的P1 层，并在所述P1层上，形成含有第1硅烷化合物的S层，从而形成覆 盖所述电介质层的至少一部分的第1导电性高分子层；以及第2工序， 其在所述第1导电性高分子层上，形成含有第2导电性高分子、第2掺 杂剂以及碱性化合物、且覆盖所述第1导电性高分子层的至少一部分的 第2导电性高分子层。

根据本发明的另一个方面，可以制造使ESR降低的电解电容器。

附图说明

图1是本发明的一实施方式的电解电容器的示意剖视图。

具体实施方式

[电解电容器]