[发明专利]以UV辅助方式将材料注入多孔膜

权利要求书

1.一种在图案化基板上处理缝隙填充电介质的方法，所述方法包含以下步骤：

在所述图案化基板上形成含硅和氢的膜，其中所述含硅和氢的膜填充所述图案化基板上的缝隙；以及

使所述含硅和氢的膜暴露于含碳和氢的前体，同时使所述含硅和氢的膜暴露于UV光，其中所述含碳和氢的前体包含两个、三个或四个碳原子并且在两个碳原子之间具有三共价键。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述含碳和氢的前体包含C₂H₂。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述含碳和氢的前体由氢和碳所组成。

4.如权利要求1所述的方法，其中形成所述含硅和氢的膜的步骤包含以下步骤：在所述图案化基板的表面上初始沉积之后使材料流入所述缝隙中。

5.如权利要求1所述的方法，其中在暴露所述含硅和氢的膜的操作之后得到的所述含硅和氢的膜不含硅、碳、氮、氢及氧以外的元素。

6.如权利要求1所述的方法，其中在暴露所述含硅和氢的膜时所述图案化基板的温度小于150℃。

7.如权利要求1所述的方法，其中所述含硅和氢的膜为多孔膜。

8.一种在图案化基板中填充缝隙的方法，所述方法包含以下步骤：

使低k电介质材料流入所述图案化基板上的所述缝隙中；

使所述低k电介质材料暴露于乙炔；以及

使所述图案化基板暴露于UV光，其中使所述图案化基板暴露于UV光及使所述低k电介质材料暴露于所述乙炔的操作同时发生。

9.如权利要求8所述的方法，其中在使所述低k电介质材料暴露于所述乙炔的操作之前，所述低k电介质材料由硅、氧、碳及氢所组成。

10.如权利要求8所述的方法，其中在使所述低k电介质材料暴露于乙炔之后得到的所述低k电介质材料具有介于2.2和3.0之间的介电常数。

11.一种强化缝隙填充材料的方法，所述方法包含以下步骤：

将包含缝隙的图案化基板传送到基板处理室的基板处理区域中，其中所述缝隙用多孔电介质进行填充；

使乙炔流入所述基板处理区域中，同时在所述缝隙上照射UV光；

加热所述图案化基板，其中加热所述图案化基板使所述缝隙的底部附近的所述多孔电介质收缩小于35％。

12.如权利要求11所述的方法，其中所述缝隙的高度对宽度的深宽比大于5：1。