[发明专利]阵列基板制作方法

权利要求书

1.一种阵列基板制作方法，其特征在于，包括，在基板上形成电路薄膜晶体管与像素薄膜晶体管；其中，所述电路薄膜晶体管及像素薄膜晶体管均包括半导体层、栅电极、源电极和漏电极；

形成覆盖所述电路薄膜晶体管及像素薄膜晶体管的绝缘层及覆盖所述绝缘层的平坦层；

通过带有半透膜的半色调掩膜图案化所述平坦层，在所述平坦层上形成像素定义区及孔定义区；

蚀刻所述孔定义区形成与所述像素薄膜晶体的源电极和漏电极中之一连通的过孔；

在像素定义区上形成电连接到所述像素薄膜晶体管的源电极和漏电极中之一的像素电极；

在所述平坦层上形成支撑层。

2.如权利要求1所述的阵列基板制作方法，其特征在于，所述步骤通过带有半透膜的半色调掩膜图案化所述平坦层，在所述平坦层上形成像素定义区及孔定义区，包括：提供包括遮光区、全透区及半透区的所述半色调掩膜，

光罩所述半色调掩膜在所述平坦层上定义出所述像素定义区及孔定义区的图案；其中半透区对应位置形成所述像素定义；

去除半色调掩膜并通过显影在所述平坦层上形成所述像素定义区及孔定义区。

3.如权利要求2所述的阵列基板制作方法，其特征在于，所述步骤蚀刻所述孔定义区形成与所述像素薄膜晶体的源电极和漏电极中之一连通的过孔；包括干蚀刻所述孔定义区对应的所述绝缘层，形成贯穿所述绝缘层的所述过孔。

4.如权利要求1所述的阵列基板制作方法，其特征在于，所述像素电极由覆盖像素定义区及所述过孔电连接所述像素薄膜晶体管的源和漏电极中之一。

5.如权利要求1所述的阵列基板制作方法，其特征在于，所述步骤在所述平坦层上形成覆盖所述像素电极边界的支撑层包括：

在所述平坦层上形成有机绝缘层，

通过图案化构图工艺图案化所述有机绝缘层形成所述支撑层。

6.如权利要求1所述的阵列基板制作方法，其特征在于，所述步骤在像素定义区上形成电连接到所述像素薄膜晶体管的源电极和漏电极中之一的像素电极，是通过图案化构图工艺图案化形成于所述平坦层及像素定义区内的像素电极材料层构成。

7.如权利要求5所述的阵列基板制作方法，其特征在于，所述图案化构图工艺图案化所述有机绝缘层形成所述支撑层中的光罩为半色调掩膜光罩方式。

8.如权利要求1所述的阵列基板制作方法，其特征在于，所述步骤在基板上形成电路薄膜晶体管与像素薄膜晶体管；包括：

在所述基板上定义电路区域和像素区域；

对应所述电路区域和像素区域分别形成所述电路薄膜晶体管与像素薄膜晶体管；其中，所述电路薄膜晶体管的栅极电连接所述像素薄膜晶体管的源电极与漏电极中的之一。

9.如权利要求1所述的阵列基板制作方法，其特征在于，所述像素定义区位正投影部分覆盖所述像素薄膜晶体管。

10.如权利要求1所述的阵列基板制作方法，其特征在于，所述支撑层覆盖所述像素电极两侧边界。

11.如权利要求1-10任一项所述的阵列基板制作方法，其特征在于，所述在基板上形成的电路薄膜晶体管与像素薄膜晶体管用于控制同一个像素发光，其中，电路薄膜晶体管个数为至少一个和/或像素薄膜晶体管个数为至少一个。