[发明专利]石墨烯膜

权利要求书

1.一种用于减少或增加物质中的氚的量的工艺，所述物质包含一方面含氚化合物和另一方面含氢化合物和/或含氘化合物的混合物，所述工艺包括：

a)提供膜，所述膜包括：

2D材料的整料，

离聚物涂层，所述离聚物涂层被设置在所述2D材料的至少一侧上；以及

任选地基底，

b)提供物质的第一样品，所述物质的所述第一样品包含含氢分子、含氘分子和含氚分子中的两种或更多种的混合物，所述物质的所述第一样品与所述膜的第一面接触，

c)提供容器，所述容器与所述膜的第二面流体连通，以及

d)将电势差施加在所述第一面和所述第二面之间，其中施加所述电势差导致在所述膜的第二侧上产生所述物质的第二样品，其中所述物质的所述第二样品包含比所述物质的所述第一样品按比例地更少的氚，和/或其中施加所述电势差导致在所述膜的第一侧上的所述物质的所述第一样品包含比所述物质的所述第一样品按比例地更多的氚，以及

e)从所述膜的所述第二侧回收所述物质的所述第二样品，所述物质的所述第二样品包含比所述物质的所述第一样品按比例地更少的氚，和/或从所述膜的所述第一侧回收所述物质的产品样品，所述物质的所述产品样品包含比所述物质的所述第一样品按比例地更多的氚。

2.如权利要求1所述的工艺，其中所述离聚物是质子传导聚合物。

3.如权利要求2所述的工艺，其中所述聚合物是磺化的聚合物。

4.如权利要求3所述的工艺，其中所述磺化的聚合物是

5.如任一前述权利要求所述的工艺，其中所述2D材料是石墨烯。

6.如权利要求1至4中任一项所述的工艺，其中所述2D材料是hBN。

7.如权利要求1所述的工艺，其中2D材料的所述整料是单层厚的。

8.如权利要求1所述的工艺，其中2D材料的所述整料是2-5层厚的。

9.如权利要求1所述的工艺，其中所述2D材料包含催化金属。

10.如权利要求1所述的工艺，其中所述物质是以溶液的形式。

11.膜用于减少或增加混合物中的氚的量的用途，所述混合物包含一方面含氚化合物和另一方面含氢化合物和/或含氘化合物，所述膜包括：

2D材料的整料，

离聚物涂层，所述离聚物涂层被设置在所述2D材料的至少一侧上；以及

任选地基底。

12.如权利要求11所述的用途，其中所述离聚物是质子传导聚合物。

13.如权利要求12所述的用途，其中所述聚合物是磺化的聚合物。

14.如权利要求13所述的用途，其中所述磺化的聚合物是

15.如权利要求11至14中任一项所述的用途，其中所述2D材料是石墨烯。

16.如权利要求11至14中任一项所述的用途，其中所述2D材料是hBN。

17.如权利要求11至14中任一项所述的用途，其中2D材料的所述整料是单层厚的。

18.如权利要求11所述的用途，其中2D材料的所述整料是2-5层厚的。

19.如权利要求11所述的用途，其中所述2D材料包含催化金属。