[发明专利]基板处理方法及基板处理装置

权利要求书

1.一种基板处理方法，使用处理液对基板的表面进行处理，包括：

基板保持步骤，在上述基板的表面朝向上方的状态下将上述基板保持为水平；

混合液置换步骤，以第一液体与第二液体的混合液来置换附着在上述基板的表面的处理液，该第二液体的沸点比上述第一液体的沸点高且该第二液体具有比上述第一液体的表面张力低的表面张力；及

混合液去除步骤，在上述混合液置换步骤之后，从上述基板的表面去除上述混合液，

上述混合液置换步骤包括液膜形成步骤，在上述液膜形成步骤中，形成覆盖上述基板的表面的上述混合液的液膜，

上述混合液去除步骤包括：

液膜去除区域形成步骤，通过从上述混合液的上述液膜局部地去除混合液，在上述混合液的上述液膜形成液膜去除区域，由此，在上述混合液的上述液膜中的包含与上述液膜去除区域的气固液界面的内周部分的上述混合液，形成随着越靠近上述混合液的上述液膜的上述气固液界面则上述混合液中的第二液体的比率即第二液体的浓度越高的浓度梯度；及

液膜去除区域扩大步骤，一边将上述内周部分的上述混合液保持为形成有上述浓度梯度的状态，一边使上述液膜去除区域扩大，

通过包括上述混合液置换步骤、上述混合液去除步骤、上述液膜去除区域形成步骤以及上述液膜去除区域扩大步骤的步骤，来使上述基板的上述表面干燥。

2.如权利要求1所述的基板处理方法，其中，

该基板处理方法还包括覆液步骤，该覆液步骤与上述液膜形成步骤并行进行，在该覆液步骤中，使上述基板呈静止状态或以覆液速度使上述基板绕通过上述基板的中央部的铅垂的旋转轴线旋转。

3.如权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，

上述液膜去除区域形成步骤包括将气体喷吹在上述基板的表面的气体喷吹步骤。

4.如权利要求3所述的基板处理方法，其中，

上述气体包含温度比常温高的高温气体。

5.如权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，

上述液膜去除区域扩大步骤包括使上述基板以比上述液膜形成步骤时的速度更高的速度旋转的高速旋转步骤。

6.如权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，

上述第一液体包括水，

上述第二液体包括乙二醇。

7.一种基板处理装置，包括：

基板保持单元，在基板的表面朝向上方的状态下将基板保持为水平，

混合液供给单元，将第一液体与第二液体的混合液供给至上述基板的表面，该第二液体的沸点比上述第一液体的沸点高且该第二液体具有比上述第一液体的表面张力低的表面张力，及

控制装置，至少对上述混合液供给单元进行控制；

上述控制装置执行如下的步骤：

液膜形成步骤，形成覆盖上述基板的表面的上述混合液的液膜，

液膜去除区域形成步骤，通过从上述混合液的上述液膜局部地去除混合液，在上述混合液的上述液膜形成液膜去除区域，由此，在上述混合液的上述液膜中的包含与上述液膜去除区域的气固液界面的内周部分的上述混合液，形成随着越靠近上述混合液的上述液膜的上述气固液界面则上述混合液中的第二液体的比率即第二液体的浓度越高的浓度梯度，及

液膜去除区域扩大步骤，一边将上述内周部分的上述混合液保持为形成有上述浓度梯度的状态，一边使上述液膜去除区域朝向上述基板的外周扩大，

通过包括上述液膜形成步骤、上述液膜去除区域形成步骤以及上述液膜去除区域扩大步骤的步骤，来使上述基板的上述表面干燥。

8.如权利要求7所述的基板处理装置，其中，

上述控制装置还执行覆液步骤，该覆液步骤与上述液膜形成步骤并行进行，在该覆液步骤中，使上述基板呈静止状态或以覆液速度使上述基板绕通过上述基板的中央部的铅垂的旋转轴线旋转。

9.如权利要求7或8所述的基板处理装置，其中，

上述控制装置在上述液膜去除区域形成步骤中执行将气体喷吹在上述基板的表面的气体喷吹步骤。