[发明专利]具有改进的等离子体散布的晶闸管

权利要求书

1.一种晶闸管装置(200)，包括：

半导体晶片(301；501)，其具有第一主侧(202)和与所述第一主侧(202)相反的第二主侧(204)；

第一电极层(214)，其布置在所述第一主侧(202)上；

第二电极层(218)，其布置在所述第一主侧(202)上且与所述第一电极层(214)电隔离；

第三电极层(216)，其布置在所述第二主侧(204)上；

其中，所述半导体晶片(301；501)包括以下层：

第一导电率类型的第一发射极层(206)，所述第一发射极层(206)与所述第一电极层(214)处于电接触；

不同于所述第一导电率类型的第二导电率类型的第一基极层(208)，其中，所述第一基极层(208)与所述第二电极层(218)处于电接触，以及其中，所述第一基极层(208)和所述第一发射极层(206)形成第一p-n结；

所述第一导电率类型的第二基极层(210)，所述第二基极层(210)和所述第一基极层(208)形成第二p-n结；

所述第二导电率类型的第二发射极层(212)，其中，所述第二发射极层(212)与所述第三电极层(216)处于电接触，以及其中，所述第二发射极层(212)和所述第二基极层(210)形成第三p-n结，

其中，所述晶闸管装置(200)包括多个离散发射极短路部(228)，各个发射极短路部(228)穿过所述第一发射极层(206)，以使所述第一基极层(208)与所述第一电极层(214)电连接，

其中，在平行于所述第一主侧(202)的平面上的正交投影中，由所述第一电极层(214)与所述第一发射极层(206)和所述发射极短路部(228)的电接触部覆盖的接触区域包括呈巷道(350A-350F；550A-550F)的形状的区域，在其中未布置发射极短路部(228)，

其特征在于

所述巷道(350A-350F；550A-550F)的宽度是在所述接触区域中彼此挨着的发射极短路部(228)的中心之间的平均距离的至少两倍，

所述巷道(350A-350F；550A-550F)是弯曲的，并且，在平行于所述第一主侧(202)的平面上的正交投影中，所述巷道(350A-350F；550A-550F)沿远离所述第二电极层(218)的方向从所述接触区域的接近所述第二电极层(218)的边缘延伸。

2.根据权利要求1所述的晶闸管装置(200)，其特征在于，所述巷道分叉成两个或更多个子巷道。

3.根据权利要求1所述的晶闸管装置(200)，其特征在于，在平行于所述第一主侧(202)的平面上的正交投影中，所述巷道(350A-350F；550A-550F)的宽度的范围为30μm至5000μm。

4.根据权利要求3所述的晶闸管装置(200)，其特征在于，在平行于所述第一主侧(202)的平面上的正交投影中，所述巷道(350A-350F；550A-550F)的宽度的范围为300μm至2000μm。

5.根据权利要求1至4中的任一项所述的晶闸管装置(200)，其特征在于，在平行于所述第一主侧(202)的平面上的正交投影中，所述半导体晶片(301；501)为圆形的，并且所述第一电极层(214)是圆形金属化物层，它与所述半导体晶片(301；501)同心。

6.根据权利要求1至4中的任一项所述的晶闸管装置(200)，其特征在于，所述晶闸管装置(200)包括辅助晶闸管结构，所述辅助晶闸管结构包括：

形成于所述第一主侧(202)上的与所述第一基极层(208)处于电接触的辅助门极电极层，所述辅助门极电极层与所述第一电极层(214)和所述第二电极层(218)电隔离；以及

所述第一导电率类型的第三发射极层，其中，所述第三发射极层与所述第一发射极层(206)被所述第一基极层(208)隔离，所述第三发射极层与所述第一基极层(208)形成第四p-n结，并且所述第三发射极层与所述第二电极层(218)处于电接触。