[发明专利]用于降低嵌段共聚物膜的缺陷率的方法

权利要求书

1.用于降低嵌段共聚物(BCP1)膜的缺陷率的方法，所述嵌段共聚物(BCP1)膜的下表面与基底(S)的预中性化的表面(N)接触且所述嵌段共聚物(BCP1)膜的上表面覆盖有上表面中性化层(TC)，以使得可得到垂直于下界面和上界面两者的所述嵌段共聚物(BCP1)的纳米畴的取向，所述方法特征在于用于覆盖嵌段共聚物(BCP1)膜的上表面的所述上表面中性化层(TC)由第二前段共聚物(BCP2)组成。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于第二嵌段共聚物(BCP2)包括第一嵌段或嵌段组("s2")、和第二嵌段或嵌段组("r2")，所述第一嵌段或嵌段组的表面能在两种嵌段共聚物(BCP1和BCP2)的所有构成嵌段中是最低的，且第二嵌段或嵌段组呈现出对第一嵌段共聚物(BCP1)的各嵌段为零的或相当的亲和性。

3.根据权利要求1和2任一项中所述的方法，其特征在于第二嵌段共聚物(BCP2)包括"m"个嵌段，m为≥2且≤11，且优选≤5的整数。

4.根据权利要求1-3一项中所述的方法，其特征在于第二嵌段共聚物(BCP2)的各嵌段的体积分数在5-95％变化，相对于所述第二嵌段共聚物的体积。

5.根据权利要求2-4一项中所述的方法，其特征在于能量最低的第一嵌段或嵌段组("s2")呈现出50％-70％的体积分数，相对于第二嵌段共聚物(BCP2)的体积。

6.根据权利要求1-5一项中所述的方法，其特征在于第二嵌段共聚物(BCP2)的各嵌段(i2…j2)可包括存在于第一嵌段共聚物(BCP1)的主干中的共聚单体。

7.根据权利要求1-6一项中所述的方法，其特征在于第二嵌段共聚物(BCP2)呈现出小于或等于第一嵌段共聚物(BCP1)的退火温度的退火温度。

8.根据权利要求1-7一项中所述的方法，其特征在于第二嵌段共聚物(BCP2)的分子量在1000-500000g/mol变化。

9.根据权利要求1-8一项中所述的方法，其特征在于嵌段共聚物(BCP2)的各嵌段可由一组共聚单体构成，所述共聚单体以嵌段、梯度、统计、无规、交替或梳形类型的构造方式共聚在一起。

10.根据权利要求1-9一项中所述的方法，其特征在于第二嵌段共聚物(BCP2)的形态优选为层状的。