[发明专利]包括多个管芯的堆叠式封装(POP)结构有效
申请号: | 201680044487.0 | 申请日: | 2016-07-28 |
公开(公告)号: | CN107851588B | 公开(公告)日: | 2020-10-16 |
发明(设计)人: | 卫洪博;李在植;金东旭;古仕群 | 申请(专利权)人: | 高通股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L23/538;H01L23/13;H01L23/498;H01L21/56 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华;吕世磊 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 包括 管芯 堆叠 封装 pop 结构 | ||
1.一种堆叠式封装POP结构,包括:
第一管芯;
第二管芯;
设置在所述第一管芯和所述第二管芯之间的光成像电介质PID层;
从所述第一管芯穿过所述PID层到所述第二管芯的第一导电路径,其中所述第一导电路径延伸穿过所述PID层的位于所述第一管芯和所述第二管芯之间的第一区域;以及
从所述第一管芯穿过所述PID层到所述第二管芯的第二导电路径,其中所述第二导电路径与所述第一导电路径分开,并且其中所述第二导电路径的特定部分垂直于所述第一导电路径,并且延伸穿过所述PID层的不直接在所述第一管芯和所述第二管芯之间的第二区域。
2.根据权利要求1所述的POP结构,其中所述第一导电路径和所述第二导电路径从所述第一管芯的第一表面延伸到所述第二管芯的第二表面。
3.根据权利要求1所述的POP结构,其中所述第二导电路径的从所述第一管芯到所述第二导电路径的所述特定部分的第一端部的第一部分平行于所述第一导电路径,并且其中所述第二导电路径的从所述第二导电路径的所述特定部分的第二端部到所述第二管芯的第二部分平行于所述第一导电路径。
4.根据权利要求1所述的POP结构,还包括穿过所述PID层的过孔。
5.根据权利要求4所述的POP结构,其中所述第一导电路径穿过所述过孔延伸到所述第二管芯。
6.根据权利要求4所述的POP结构,其中所述第一导电路径穿过种子层、所述过孔、第一导电层、焊料和第二导电层延伸到所述第二管芯。
7.根据权利要求4所述的POP结构,其中所述过孔包括铜。
8.根据权利要求1所述的POP结构,其中所述第一管芯包括处理器。
9.根据权利要求8所述的POP结构,其中所述处理器包括应用处理器、数字信号处理器、图形处理器或其组合。
10.根据权利要求1所述的POP结构,其中所述第二管芯包括存储器。
11.根据权利要求10所述的POP结构,其中所述存储器包括高速缓存存储器。
12.根据权利要求1所述的POP结构,其中所述第一管芯、所述第二管芯和所述PID层被集成到计算机、通信设备、个人数字助理(PDA)、娱乐单元、导航设备、音乐播放器、视频播放器、固定位置数据单元、机顶盒或其组合中。
13.一种形成堆叠式封装结构的方法,包括:
将可光成像的电介质材料沉积在嵌入有第一管芯的封装体的表面上;
将所述可光成像的电介质材料图案化,以形成光成像电介质PID层;
在所述PID层上沉积导电材料,以形成穿过所述PID层到所述第一管芯的第一导电路径和第二导电路径;以及
将第二管芯耦合到所述封装体,使得所述第二管芯经由所述第一导电路径和所述第二导电路径电连接到所述第一管芯,
其中所述第一导电路径延伸穿过所述PID层的位于所述第一管芯与所述第二管芯之间的区域,
其中所述第二导电路径与所述第一导电路径分开,并且
其中所述第二导电路径的一部分垂直于所述第一导电路径,并且延伸穿过所述PID层的不直接在所述第一管芯和所述第二管芯之间的区域。
14.根据权利要求13所述的方法,还包括通过以下步骤将所述第一管芯嵌入所述封装体中:
在芯层中钻出空腔;
在钻出所述空腔之后,将粘合剂膜附接到所述芯层,使得所述芯层的剩余部分在所述粘合剂膜上间隔开;
将所述第一管芯放置在由所述芯层的所述剩余部分形成的间隙中的所述粘合剂膜上;以及
在将所述第一管芯放置在所述粘合剂膜上之后,将层叠体沉积在所述芯层和所述第一管芯上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造