[发明专利]光传感器

权利要求书

1.一种光传感器，其具备：

第一电极；

第二电极，该第二电极与所述第一电极相对置；

光电转换层，该光电转换层位于所述第一电极与所述第二电极之间，并通过光电转换来产生电荷；

第一电荷阻挡层，该第一电荷阻挡层位于所述第一电极与所述光电转换层之间；

第二电荷阻挡层，该第二电荷阻挡层位于所述第二电极与所述光电转换层之间；

电压供给电路，该电压供给电路与所述第一电极和所述第二电极中的至少一者连接，并以使所述光电转换层内产生从所述第二电极朝向所述第一电极的方向的电场的方式对所述第一电极和所述第二电极中的至少一者施加电压；以及

检测电路，该检测电路对与所述第一电极和所述第二电极之间的电容变化相对应的信号进行检测，该变化是由光射入所述光电转换层所产生的，

其中，所述第一电荷阻挡层被构成为抑制空穴从所述光电转换层向所述第一电极移动和电子从所述第一电极向所述光电转换层移动，

所述第二电荷阻挡层被构成为抑制电子从所述光电转换层向所述第二电极移动和空穴从所述第二电极向所述光电转换层移动。

2.根据权利要求1所述的光传感器，其中，所述电压供给电路对所述第一电极和所述第二电极中的一者施加电压，

所述检测电路对所述第一电极和所述第二电极中的另一者的电压进行检测。

3.根据权利要求2所述的光传感器，其还具有电容器，该电容器的一端与所述第一电极和所述第二电极的所述另一者连接，另一端被施加规定电压。

4.根据权利要求1所述的光传感器，其还具备：

半导体层，该半导体层位于所述第二电荷阻挡层与所述第二电极之间，并与所述第二电极接触；以及

第三电极，该第三电极与所述半导体层接触，

其中，所述电压供给电路对所述第一电极和所述第二电极施加电压，

所述检测电路对在所述第二电极与所述第三电极之间流动的电流进行检测。

5.根据权利要求1所述的光传感器，其还具备：

半导体层，该半导体层位于所述第一电荷阻挡层与所述第一电极之间，与所述第一电极接触；以及

第三电极，该第三电极与所述半导体层接触，

其中，所述电压供给电路对所述第一电极和所述第二电极施加电压，

所述检测电路对在所述第一电极与所述第三电极之间流动的电流进行检测。

6.根据权利要求1所述的光传感器，其中，所述电压供给电路在所述第一电极与所述第二电极之间施加电压，该电压是振幅周期性地变化的电压与使所述光电转换层内产生从所述第二电极朝向所述第一电极的方向的电场的直流电压重叠而成的，

所述检测电路对在所述第一电极与所述第二电极之间流动的电流进行检测。

7.根据权利要求1所述的光传感器，其还具备电流供给电路，该电流供给电路在所述第一电极与所述第二电极之间施加振幅周期性地变化的电流，

其中，所述电压供给电路在所述第一电极与所述第二电极之间以使所述光电转换层内产生从所述第二电极朝向所述第一电极的方向的电场的方式施加直流电压，

所述检测电路对所述第一电极与所述第二电极之间的电位差进行检测。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的光传感器，其中，所述第一电荷阻挡层的HOMO能级比所述光电转换层的HOMO能级深0.3eV以上，

所述第一电荷阻挡层的LUMO能级比所述第一电极的费米能级浅0.3eV以上。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的光传感器，其中，所述第二电荷阻挡层的LUMO能级比所述光电转换层的LUMO能级浅0.3eV以上，

所述第二电荷阻挡层的HOMO能级比所述第二电极的费米能级深0.3eV以上。

10.根据权利要求1～9中任一项所述的光传感器，其中，所述第一电荷阻挡层和所述第二电荷阻挡层中的至少一者为绝缘层。