[发明专利]基板处理方法及基板处理装置

权利要求书

1.一种基板处理方法，其中，

包括：

基板保持工序，将基板保持为水平；

液膜形成工序，向所述基板的上表面供给处理液，来形成用于覆盖该基板的上表面的处理液的液膜；

蒸气环境气体充满工序，从第一气体喷出口向所述处理液的液膜的周围供给包含具有比所述处理液更低的表面张力的低表面张力液的蒸气的气体，使所述处理液的液膜的周围被包含所述低表面张力液的蒸气的蒸气环境气体充满；

干燥区域形成工序，与所述蒸气环境气体充满工序并行地执行，从与所述第一气体喷出口不同的第二气体喷出口向所述处理液的液膜的中央部吹送包含所述低表面张力液的蒸气的气体，来将处理液的局部排除，从而在该处理液的液膜形成干燥区域；以及，

干燥区域扩大工序，与所述蒸气环境气体充满工序并行地执行，一边使所述基板旋转，一边使所述干燥区域朝向所述基板的外周扩大，

在所述干燥区域扩大工序的期间，所述第二气体喷出口保持在所述基板的中央部的上方，并且所述第二气体喷出口持续喷出所述低表面张力液的蒸气。

2.如权利要求1所述的基板处理方法，其中，

还包括隔断工序，在所述隔断工序中，使包括所述基板的上方空间的空间成为与外部隔断的隔断状态；在执行所述隔断工序之后，向所述空间供给所述气体，来执行所述蒸气环境气体充满工序。

3.如权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，

还包括开放高速旋转工序，所述开放高速旋转工序在所述干燥区域扩大工序之后执行，在所述开放高速旋转工序中，一边使包含所述基板的上方空间的空间向外部开放，一边使所述基板以规定的高旋转速度旋转。

4.如权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，

还包括浸液工序，所述浸液工序与所述液膜形成工序并行地执行，在所述浸液工序中，使所述基板成为静止状态，或使所述基板以通过所述基板的中央部的旋转轴线为中心以浸液速度旋转。

5.如权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，

所述干燥区域扩大工序包括高速旋转工序，在所述高速旋转工序中，使所述基板以比所述液膜形成工序时更大的速度旋转。

6.如权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，

所述处理液包括水，

所述低表面张力液包括有机溶剂。

7.一种基板处理装置，其中，

包括：

基板保持单元，将基板保持为水平，

处理液供给单元，用于向所述基板的上表面供给处理液，

第一气体供给单元，具有向所述基板的上表面的周围供给气体的第一气体喷出口，所述气体包含具有比所述处理液更低的表面张力的低表面张力液的蒸气，

气体喷出喷嘴，具有与所述第一气体喷出口不同的第二气体喷出口，该第二气体喷出口是用于朝向所述基板的上表面的中央部喷出气体的气体喷出口，

第二气体供给单元，向所述气体喷出喷嘴供给包含所述低表面张力液的蒸气的所述气体，以及，

控制装置，控制所述处理液供给单元、所述第一气体供给单元以及所述第二气体供给单元；

所述控制装置执行：

液膜形成工序，向所述基板的上表面供给处理液，来形成用于覆盖该基板的上表面的处理液的液膜；

蒸气环境气体充满工序，从所述第一气体喷出口向所述处理液的液膜的周围供给包含具有比所述处理液更低的表面张力的低表面张力液的蒸气的气体，使所述处理液的液膜的周围被包含所述低表面张力液的蒸气的蒸气环境气体充满；

干燥区域形成工序，在所述处理液的液膜的周围保持为所述蒸气环境气体的状态下，从所述第二气体喷出口向所述处理液的液膜的中央部吹送包含所述低表面张力液的蒸气的气体来将处理液的一部分排除，从而在该处理液的液膜形成干燥区域；以及，

干燥区域扩大工序，在所述处理液的液膜的周围保持为所述蒸气环境气体的状态下，使所述干燥区域朝向所述基板的外周扩大，

在所述干燥区域扩大工序的期间，所述第二气体喷出口保持在所述基板的中央部的上方，并且所述第二气体喷出口持续喷出所述低表面张力液的蒸气。