[发明专利]电阻处理单元有效

专利信息
申请号: 201680044972.8 申请日: 2016-09-19
公开(公告)号: CN107924227B 公开(公告)日: 2021-06-08
发明(设计)人: T.戈克曼;Y.弗拉索夫;金世荣 申请(专利权)人: 国际商业机器公司
主分类号: G06F3/00 分类号: G06F3/00
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 万里晴
地址: 美国纽*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 电阻 处理 单元
【权利要求书】:

1.一种双端子电阻处理单元,包括:

第一端子;

第二端子;和

具有导电状态的有源区域;

其中所述导电状态标识施加到所述电阻处理单元的训练方法的权重,其中所述导电状态的改变包括基于施加到所述第一端子的至少一个第一编码信号和施加到所述第二端子的至少一个第二编码信号的非线性改变;

其中所述有源区域被配置为在本地执行所述训练方法的数据存储操作;和

其中所述有源区域还被配置为在本地执行所述训练方法的数据处理操作。

2.根据权利要求1所述的双端子电阻处理单元,其中所述导电状态的改变至少部分基于所述数据处理操作的结果。

3.如权利要求1所述的双端子电阻处理单元,其中:

所述有源区域还被配置为至少部分地基于所述导电状态的所述非线性改变在本地执行所述训练方法的所述数据存储操作;和

所述有源区域还被配置为至少部分地基于所述导电状态的所述非线性改变来在本地执行所述训练方法的数据处理操作。

4.根据权利要求1所述的双端子电阻处理单元,其中所述训练方法包括以下各项中的至少一个:

在线神经网络训练;

矩阵求逆;和

矩阵分解。

5.一种双端子电阻处理单元,包括:

第一端子;

第二端子;和

具有导电状态的有源区域;

其中所述有源区域被配置为基于施加到所述第一端子的至少一个第一编码信号和施加到所述第二端子的至少一个第二编码信号来实现所述导电状态的非线性改变;

其中所述有源区域还被配置为至少部分地基于所述导电状态的所述非线性改变来在本地执行训练方法的数据存储操作;和

其中所述有源区域还被配置为至少部分地基于所述导电状态的所述非线性改变来在本地执行所述训练方法的数据处理操作。

6.如权利要求5所述的双端子电阻处理单元,其中所述至少一个第一编码信号和所述至少一个第二编码信号的编码包括随机脉冲序列。

7.根据权利要求5所述的双端子电阻处理单元,其中所述至少一个第一编码信号和所述至少一个第二编码信号的编码包括幅度调制。

8.根据权利要求5所述的双端子电阻处理单元,其中所述非线性改变包括整流非线性改变或饱和非线性改变。

9.根据权利要求5所述的双端子电阻处理单元,其中,所述非线性改变包括指数非线性改变。

10.一种可训练的交叉开关阵列,包括:

一组导电行导线;

一组导电列导线,其被配置为在所述一组导电行导线与所述一组导电列导线之间的交叉处形成多个交叉点;和

在所述多个交叉点中的每一个交叉点处的双端子电阻处理单元,其中所述双端子电阻处理单元包括第一端子,第二端子和具有导电状态的有源区域;和所述导电状态标识施加到所述电阻处理单元的训练方法的权重;

其中所述导电状态的改变包括基于施加到所述第一端子的至少一个第一编码信号和施加到所述第二端子的至少一个第二编码信号的非线性改变;

其中所述电阻处理单元被配置为在本地执行施加到所述可训练的交叉开关阵列的训练方法的数据存储操作;

其中所述电阻处理单元还被配置为在本地执行所述训练方法的数据处理操作。

11.如权利要求10所述的阵列,其中:

所述导电状态的改变至少部分基于所述数据处理操作的结果。

12.如权利要求11所述的阵列,其中:

所述有源区域还被配置为至少部分地基于所述导电状态的所述非线性改变在本地执行所述训练方法的所述数据存储操作;和

所述有源区域还被配置为至少部分地基于所述导电状态的所述非线性改变在本地执行训练方法的所述数据处理操作。

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