[发明专利]用于放射性同位素安全制备和注入的系统

权利要求书

1.一种用于以下系统的调节装置，该系统用于制备并注入在正电子发射断层摄影术中使用的H₂¹⁵O，该调节装置包括：

-第二盐水给送器401，

-环路元件320，该环路元件包括第一推注量的所述H₂¹⁵O盐溶液，

-注入装置420，该注入装置用于从所述第二盐水给送器401收集预限定的第二推注量的盐水并且将所述第二推注量以预限定的速度注入该环路元件320中，使得该第二推注量将该第一推注量推入患者管线520中，

-邻近该患者管线520的第二辐射检测器440，所述辐射检测器测量所述第一推注量的注入曲线，

其中所述第二推注量的注入速度和体积调节该第一推注量的注入曲线。

2.一种用于制备并注入在正电子发射断层摄影术中使用的H₂¹⁵O的系统，所述系统包括：

-用于生产H₂¹⁵O盐溶液的生产装置，

-用于建立供注入的第一推注量的推注量装置，所述第一推注量包括所述H₂¹⁵O盐溶液并且具有预限定的体积和放射性浓度，所述推注量装置包括阀100，以及

-根据权利要求1所述的用于调节该第一推注量的注入曲线的调节装置。

3.一种用于控制在正电子发射断层摄影术中使用的H₂¹⁵O的流量的安全阀100，该阀100包括：

阀元件120，该阀元件具有延伸穿过该阀元件120的流动通道121，

具有至少三个阀开口151A、B、C的阀壳体150，每个阀开口151A、B、C允许流体流入或流出所述阀100，以及

至少两个溢流凹陷180A、B、C，每个溢流凹陷具有至少一个出口开口，

其中该阀元件120和阀壳体150可连接以形成组装阀100，该阀元件120和该阀壳体150在接触区域101A、B、C中彼此相接触，

其中该组装阀100能够被安排成至少两个不同的打开构型，所述打开构型中的一个打开构型限定穿过该流动通道121和一组所述阀开口151A、B的流动路径，并且所述打开构型中的另一个打开构型限定穿过该流动通道121以及另一组不同的所述阀开口151B、C的流动路径，并且

其中在所述至少两个打开构型中的每一个打开构型中：

-每个溢流凹陷180A、B、C被安排在该阀元件120与该阀壳体150之间，

-这些阀开口中的至少两个阀开口通过该流动通道121相连接，

-这些阀开口中的至少一个阀开口没有连接至该流动通道121，

-所述接触区域形成流体挡块，该流体挡块用于防止流体流入没有连接至该流动通道121的所述至少一个阀开口中，

-这些溢流凹陷不与该流动通道121处于流体连通，

-每个溢流凹陷被定位成建立所述接触区域的中断，使得这些溢流凹陷建立排出溢流流体的安全释放口，在过压情况下该溢流流体经相应的所述出口开口穿过所述流体挡块，从而使得在所述至少两个打开构型中，所述溢流流体被防止进入没有连接至该流动通道121的所述至少一个阀开口中。

4.根据权利要求3所述的安全阀100，其中该组装阀能够被安排成第三不同的关闭构型，在该关闭构型中该流动通道121没有连接至这些阀开口151A、B、C中的任一个上，从而没有建立穿过该流动通道121以及阀开口的流动路径。

5.根据权利要求3或4所述的安全阀100，其中该阀壳体150还包括具有第一端和第二端以及内部流体空间的连接元件，该连接元件在该第二端处连接至该阀壳体150上，使得所述流体空间与所述至少三个阀开口151A、B、C之一处于流体接触。

6.根据权利要求3至5中任一项所述的安全阀100，其中该至少两个溢流凹陷被安排在该阀壳体150中。

7.根据权利要求3至6中任一项所述的安全阀100，其中该至少两个溢流凹陷被安排在该阀元件120中。