[发明专利]准确的采样锁存器偏移补偿方案有效

专利信息
申请号: 201680045341.8 申请日: 2016-07-05
公开(公告)号: CN107852139B 公开(公告)日: 2019-05-14
发明(设计)人: M·陈;K·L·阿卡迪亚 申请(专利权)人: 高通股份有限公司
主分类号: H03F3/45 分类号: H03F3/45;H03F3/72;G11C7/06
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 周敏;陈炜
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 准确 采样 锁存器 偏移 补偿 方案
【权利要求书】:

1.一种接收机,包括:

锁存器,其被配置成根据采样时钟信号来对数据信号进行采样,其中所述锁存器包括第一输入晶体管和第二输入晶体管;

偏移控制器;

偏移解码器;

偏置电路;

第一偏移补偿电路,其包括彼此并联耦合的第一多个偏移补偿段,其中所述第一多个偏移补偿段中的每一者包括:

补偿晶体管;以及

步进调节晶体管,

其中该补偿晶体管的栅极耦合至由所述偏移解码器提供的对应控制位,该补偿晶体管的源极耦合至所述锁存器的所述第一输入晶体管的源极,该补偿晶体管的漏极耦合至该步进调节晶体管的源极,该步进调节晶体管的栅极耦合至由所述偏置电路提供的偏置电压,并且该步进调节晶体管的漏极耦合至所述锁存器的所述第一输入晶体管的漏极;

第二偏移补偿电路,其包括彼此并联耦合的第二多个偏移补偿段,其中所述第二多个偏移补偿段中的每一者包括:

补偿晶体管;以及

步进调节晶体管,

其中该补偿晶体管的栅极耦合至由所述偏移解码器提供的对应控制位,该补偿晶体管的源极耦合至所述锁存器的所述第二输入晶体管的源极,该补偿晶体管的漏极耦合至该步进调节晶体管的源极,该步进调节晶体管的栅极耦合至由所述偏置电路提供的偏置电压,并且该步进调节晶体管的漏极耦合至所述锁存器的所述第二输入晶体管的漏极,

其中所述偏移控制器被配置成向所述偏移解码器提供第一码和符号位以产生用于选择性地导通所述第一多个偏移补偿段和所述第二多个偏移补偿段中的一个或多个补偿晶体管的控制位,

其中所述偏移控制器被进一步配置成将指示k个不同电流设置中的一个电流设置的第二码输出至所述偏置电路,k为整数,并且所述偏置电路被配置成将所述偏置电压设为与所述第二码中所指示的所述k个不同电流设置中的所述一个电流设置相对应的电压。

2.如权利要求1所述的接收机,其特征在于,k为3或更大。

3.如权利要求1所述的接收机,其特征在于,所述偏移控制器被配置成输出多个控制位,所述控制位中的每一者控制所述补偿晶体管中相应的一者是否被导通。

4.如权利要求1所述的接收机,其特征在于,所述锁存器包括:

交叉耦合的反相器,其中所述反相器中的第一反相器的输入被耦合到所述反相器中的第二反相器的输出,而所述反相器中的所述第一反相器的输出被耦合到所述反相器中的所述第二反相器的输入;以及

耦合到所述交叉耦合的反相器的所述第一输入晶体管和所述第二输入晶体管,其中所述第一输入晶体管和所述第二输入晶体管被配置成基于所述数据信号来将所述交叉耦合的反相器驱动成两种输出状态之一。

5.如权利要求1所述的接收机,其特征在于,进一步包括:开关晶体管,其被配置成在所述采样时钟信号的感测阶段期间将所述第一输入晶体管的源极耦合到接地并在所述采样时钟信号的复位阶段期间将所述第一输入晶体管的源极从所述接地解耦。

6.如权利要求1所述的接收机,其特征在于,所述偏置电路包括:

串联耦合在所述锁存器的第一输入与第二输入之间的第一电阻器和第二电阻器;以及

电流源,其被耦合到所述第一电阻器与所述第二电阻器之间的节点,其中所述偏置电压是在所述第一电阻器与所述第二电阻器之间的所述节点处生成的。

7.一种用于根据权利要求1-6中的任一项所述的接收机中的偏移电压补偿的方法,包括:

导通所述接收机中的一个或多个补偿晶体管,其中所述一个或多个补偿晶体管中的每一者提供偏移补偿电流以用于减小所述接收机中的所述锁存器的偏移电压;

向所述接收机中的每一个步进调节晶体管的栅极施加偏置电压;

接收指示k个不同电流设置中的一个电流设置的码,其中k为整数;以及

将所述偏置电压设为与所述码中所指示的所述k个不同电流设置中的所述一个电流设置相对应的电压。

8.如权利要求7所述的方法,其特征在于,k为3或更大。

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