[发明专利]用于控制提供电压到受电电路的速率的切换电源控制电路,以及相关的系统及方法有效
申请号: | 201680045462.2 | 申请日: | 2016-07-13 |
公开(公告)号: | CN107852158B | 公开(公告)日: | 2021-03-12 |
发明(设计)人: | 伯特·李·普赖斯;耶什万特·纳加拉吉·科拉;达万·拉杰十比海·沙阿 | 申请(专利权)人: | 高通股份有限公司 |
主分类号: | H03K17/16 | 分类号: | H03K17/16;H03K19/00;H02M3/158;H03K6/04 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 控制 提供 电压 到受电 电路 速率 切换 电源 控制电路 以及 相关 系统 方法 | ||
1.一种切换电源控制电路,其包括:
磁头开关电路,其经配置以响应于在控制输入上接收控制信号而提供从电压供应源产生的输出电压到受电电路;
控制电路,其经配置以响应于启用信号而产生所述控制信号以控制由所述磁头开关电路进行的所述输出电压到所述受电电路的所述提供;及
电流槽电路,其耦合到所述控制输入,所述电流槽电路经配置以控制由所述磁头开关电路产生的所述输出电压的斜变速率。
2.根据权利要求1所述的切换电源控制电路,其中所述电流槽电路经配置以通过经配置以将所述输出电压渐进地斜升到所述电压供应源的供应电压而控制所述斜变速率。
3.根据权利要求1所述的切换电源控制电路,其进一步包括耦合到所述电流槽电路的偏压输入的偏压产生器,其中所述偏压产生器经配置以提供加偏压于所述电流槽电路以便控制所述磁头开关电路被启动的速率的偏压电压。
4.根据权利要求1所述的切换电源控制电路,其进一步包括:
快速启用输入,其经配置以接收快速启用信号;及
快速启用缓冲器,其经配置以进行以下操作:
接收所述快速启用信号;及
提供所述快速启用信号到所述磁头开关电路;
其中所述快速启用缓冲器响应于所述启用信号的撤销启动而启动;以及
其中所述磁头开关电路经配置以响应于所述快速启用信号而以基本上瞬时方式提供所述供应电压到所述受电电路。
5.根据权利要求4所述的切换电源控制电路,其进一步包括经配置以提供所述快速启用信号的快速启用输出。
6.根据权利要求1所述的切换电源控制电路,其进一步包括经配置以接收所述启用信号的启用输入。
7.根据权利要求6所述的切换电源控制电路,其进一步包括经配置以提供所述启用信号的启用输出。
8.根据权利要求1所述的切换电源控制电路,其进一步包括:
偏压产生器输入,其耦合到所述电流槽电路的偏压输入;且
所述偏压产生器输入经配置以从偏压产生器接收偏压电压,其中所述偏压产生器经配置以提供加偏压于所述电流槽电路的所述偏压电压,其中所述电流槽电路经配置以镜射偏压电流以便控制所述磁头开关电路被启动的速率。
9.根据权利要求8所述的切换电源控制电路,其进一步包括经配置以提供所述偏压电压的偏压产生器输出。
10.根据权利要求1所述的切换电源控制电路,其中所述磁头开关电路包括p型金属氧化物半导体PMOS晶体管,所述PMOS晶体管包括:
源极,其耦合到所述磁头开关电路的电压输入;
栅极,其耦合到所述磁头开关电路的控制输入;及
漏极,其耦合到所述磁头开关电路的电压输出。
11.根据权利要求10所述的切换电源控制电路,其中所述控制电路包括PMOS晶体管,
所述PMOS晶体管包括:
源极,其耦合到电压供应源;
栅极,其经配置以接收所述启用信号;及
漏极,其耦合到所述磁头开关电路的所述PMOS晶体管的所述栅极及所述电流槽电路。
12.根据权利要求11所述的切换电源控制电路,其中所述电流槽电路包括n型金属氧化物半导体NMOS晶体管,所述NMOS晶体管包括:
漏极,其耦合到所述磁头开关电路的所述PMOS晶体管的所述栅极;
栅极,其耦合到偏压产生器;及
源极,其耦合到接地源。
13.根据权利要求1所述的切换电源控制电路,其集成到集成电路IC中。
14.根据权利要求1所述的切换电源控制电路,其集成到选自由以下组成的群组的装置中:机顶盒;娱乐单元;导航装置;通信装置;固定位置数据单元;移动位置数据单元;移动电话;蜂窝式电话;智能电话;平板计算机;平板手机;计算机;便携式计算机;桌面计算机;个人数字助理PDA;监视器;计算机监视器;电视;调谐器;无线电;卫星无线电;音乐播放器;数字音乐播放器;便携式音乐播放器;数字视频播放器;视频播放器;数字视频光盘DVD播放器;便携式数字视频播放器;及汽车。
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