[发明专利]用于使用混合加工方法来制造荫罩的方法以及由此制造的荫罩

说明书

本发明涉及一种用于制造金属荫罩的方法，并且涉及一种用于制造具有其上形成的掩膜图案的荫罩的方法，本主题为用于使用混合加工方法来制造荫罩的方法以及由此制造的荫罩，用于制造荫罩的方法包括：用于在基底的上侧上执行湿法蚀刻的湿法蚀刻步骤；以及用于在其中形成湿法蚀刻图案的基底的下侧或者上侧上执行激光加工的激光加工步骤，由此形成对湿法蚀刻的图案的延续的激光加工的图案。因此，湿法蚀刻和激光加工被混合使用，并且因此解决了由于传统激光加工工艺导致的生产力恶化问题，并且示出了能够借助于湿法蚀刻提供高质量荫罩的效果。

技术领域

本发明一般地涉及制造金属荫罩的方法和由该方法制造的荫罩。更具体地，本发明涉及制造金属荫罩的方法以及由该方法制造的荫罩，其中包括湿法刻蚀和激光加工的混合加工被用于形成荫罩上的包括湿法刻蚀的图案和激光加工的图案的掩模图案。

背景技术

金属掩模一般被用于在制造有机电致发光(EL)器件、有机半导体元件等时的真空沉积工艺。

此类金属掩模具有三维(3D)结构，其具有多个圆形孔或锥形结构。通过将金属掩模布置在衬底上并且向该衬底的特定区域沉积期望图案的发光层来制造诸如有机EL器件的半导体元件。

美国专利号5348825和5552662公开了用于制造金属掩模的常规湿法刻蚀方法，该方法包括制造荫罩的化学湿法刻蚀方法。应用于目前工业场所的荫罩是化学湿法刻蚀类型。

下面参照图1对常规湿法刻蚀的简要说明进行描述。

1.抗蚀剂涂覆：将光刻胶2涂覆在金属膜1的两个面上。

2.图案涂覆：通过使用玻璃掩模图案3(或石英掩模)在光刻胶2上执行曝光工艺。

3.显影：在玻璃掩模图案3(或石英掩模)转移到光刻胶2的上表面上之后，去除用于形成图案的玻璃掩模3并且通过执行显影工艺而选择性地去除光刻胶2。

4.第一次刻蚀：在其中形成有图案的光刻胶2的上表面上执行湿法刻蚀，以去除金属膜1的一部分，从而通过使用刻蚀液将光刻胶2去除(光刻胶2的孔)。

5.填充：在其中去除了其的一部分的金属膜1的上表面中填充抗刻蚀的填充材料。填充抗刻蚀的填充材料以在对金属膜1的下表面执行刻蚀时保护由第一次刻蚀所形成的金属掩模的上表面的形状。

6.第二次刻蚀：刻蚀金属膜1的下表面。

7.去除：将抗刻蚀填充材料和光刻胶去除，并且最终获得金属荫罩。

以上工艺列出了通过使用湿法刻蚀制造金属荫罩的典型工艺，并且根据以上工艺开发了各种修改。例如，可以跳过步骤“5.填充”，或者在同一时间对金属膜的两面进行刻蚀。然而，一般通过使用图1中所描述的化学湿法刻蚀的技术来制造金属掩模。

湿法刻蚀具有如图2中所示的各向同性特征。换言之，在金属膜被去除的同时金属膜在从光刻胶的孔的所有方向上同等地受到刻蚀液的影响。因此，金属膜的横截面形状被形成为具有半圆形状，如图3中所示。因此，在金属膜上最终形成的金属掩模包括其中孔的边缘(参见附图中圈出的部分)非常薄的孔。

因此，孔的边缘的厚度可能对精确且稳定地确保孔的尺寸或形状具有不利影响。

出于这个原因，一般不在金属膜的一面(上表面或下表面)上执行金属膜的湿法刻蚀，而是如图3中所示在金属膜的两面上执行。通过使用在美国专利号5348825、5552662等中公开的各种方法在金属膜的两面上执行湿法刻蚀。

通过使用常规方法形成其中在上表面上形成的掩模与在下表面上形成的掩模彼此相交的交叉线(横截面中的交叉点)。此外，可以通过在金属膜的任意一面上执行具有弱强度的湿法刻蚀来实现包括具有小尺寸的锥形结构(图3中的32)的金属膜。通过使用此类锥形结构可以确保孔的尺寸和形状。出于此原因，在现有技术中底切的高度(图3中的t)被声明为金属膜的整个厚度T的30％～40％。