[发明专利]半导体装置、半导体集成电路以及负载驱动装置

说明书

存在无法在二维扩展地配置的晶体管的整个区域中使电流密度均匀的缺点。在并列地配置有多个具有漏极、源极和栅极的晶体管(1)的晶体管层之上，并排设置有连接各晶体管(1)的漏极的作为输入侧布线层的金属布线层(10)以及连接各晶体管的源极的作为输出侧布线层的金属布线层(11)。还具备多个通孔(2、3)，该多个通孔(2、3)将作为输入侧布线层的金属布线层(10)与各晶体管的漏极连接，并且将作为输出侧布线层的金属布线层(11)与各晶体管的源极连接。而且，使多个通孔(2、3)的电阻值沿着输入侧布线层以及输出侧布线层的排列方向改变。由此，能够使二维扩展地配置的晶体管的电流密度均匀。

技术领域

本发明涉及一种半导体装置、半导体集成电路以及负载驱动装置。

背景技术

在车辆的电子控制中，广泛使用驱动负载的负载驱动装置。该负载驱动装置对开关元件进行ON/OFF控制，在被用作开关元件的晶体管中流过大电流。而且，晶体管被集成电路化，大量的晶体管密集排列，各个晶体管的漏极共同连接于漏极用焊盘，并且，各个晶体管的源极共同连接于源极用焊盘。

另一方面，为了降低负载驱动装置的成本，要求缩小晶体管的尺寸。但是，由于晶体管的缩小，连接各个晶体管的金属布线层的电流密度会变高，金属布线层的电流密度高的部位恐怕会由于电迁移而劣化。因此，需要使晶体管上的电流密度均匀。存在以这样的电流密度的均匀化为目的的记载于专利文献1的技术。专利文献1所记载的半导体装置具有将各晶体管的漏极端子与第1导电体层连接的漏极用通孔。还具有将各晶体管的源极端子与第2导电体层连接的源极用通孔。而且，使该源极用通孔以及漏极用通孔的配置分布根据距源极用焊盘以及漏极用焊盘的距离而改变。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2006－278677号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

在上述专利文献1所记载的方法中，存在在第1导电体层与第2导电体层对置的边界附近的区域电流密度变高、无法在二维扩展地配置的晶体管的整个区域中使电流密度均匀的缺点。

解决技术问题的技术手段

本发明涉及一种半导体装置，具备：晶体管层，其二维状地配置有分别具有输入部、输出部和控制部的多个晶体管；多个布线层，其连接到输入端子以及输出端子，用于将多个晶体管的输入部电连接到输入端子，将输出部电连接到输出端子；以及多个层间连接导体群，其分别将多个布线层以及晶体管层之间连接，多个布线层具有第1布线层，所述第1布线层沿着规定的排列方向排列有连接到输入端子的至少1个输入侧布线层以及连接到输出端子的至少1个输出侧布线层，多个层间连接导体群的电阻值根据排列方向的位置而相互不同。

本发明的半导体集成电路是将至少一个半导体装置安装于同一半导体芯片而成的。

本发明的负载驱动装置将半导体装置作为开关元件，对开关元件的控制部施加电压，驱动连接到开关元件的负载。

发明效果

根据本发明，能够使二维扩展地配置的晶体管的电流密度均匀。

附图说明

图1是半导体装置的俯视图。

图2是图1的半导体装置的A－A’剖面图。

图3是图1的半导体装置的B－B’剖面图。

图4是金属布线层和通孔的等价电路。

图5是用于与实施方式进行比较的半导体装置的俯视图。

图6是图5的半导体装置的E－E’剖面图。

图7是图5的半导体装置的F－F’剖面图。