[发明专利]用于降低光电子产率和/或二次电子产率的方法和装置有效
| 申请号： | 201680046529.4 | 申请日： | 2016-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN108260349B | 公开（公告）日： | 2020-07-03 |
| 发明（设计）人： | 阿明·阿卜杜勒凡德 | 申请（专利权）人： | 敦提大学 |
| 主分类号： | B23K26/00 | 分类号： | B23K26/00;B23K26/0622;B23K26/082;B23K26/352;B23K103/04;B23K103/10;B23K103/12;B23K103/14;B23K103/06 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 李博 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 降低 光电子 二次电子 方法 装置 | ||
1.一种降低表面的光电子产率(PEY)和/或二次电子产率(SEY)的方法，所述方法包括：
向所述表面施加激光辐射以在所述表面上产生周期性结构排列，其中
所述激光辐射包括包含一系列激光脉冲的脉冲激光辐射并且所述脉冲的功率密度在0.01TW/cm2至3TW/cm2的范围内；
所述激光辐射的施加使得改变表面(10)的性质，以使得所述表面(10)具有小于1.5的SEY的值；
所述激光脉冲中的至少一些具有少于所述表面(10)的材料的热弛豫时间的持续时间；
所述激光辐射包括在所述表面(10)上具有在1μm至100μm的范围内的焦斑直径的脉冲激光束，并且脉冲辐射具有在10kHz至1MHz的范围内的脉冲重复率，并且所述激光辐射的平均功率在0.3W至20W的范围内。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述功率密度在0.1TW/cm2至3TW/cm2的范围内。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述功率密度在0.1TW/cm2至2TW/cm2的范围内。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述功率密度在0.3TW/cm2至2TW/cm2的范围内。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述功率密度在0.4TW/cm2至1.5TW/cm2的范围内。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述功率密度在0.38TW/cm2至0.6TW/cm2的范围内。
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述功率密度在0.16TW/cm2至0.54TW/cm2的范围内。
8.根据权利要求1所述的方法，其中所述激光辐射的施加使得改变所述表面的性质，以使得所述表面具有小于1.2的SEY的值。
9.根据权利要求8所述的方法，其中所述表面具有小于1.0的SEY的值。
10.根据权利要求8所述的方法，其中所述表面具有小于或等于0.7的SEY的值。
11.根据权利要求8所述的方法，其中所述表面具有在0.2至1.0的范围内的SEY的值。
12.根据权利要求8所述的方法，其中所述表面具有在0.5至1.0的范围内的SEY的值。
13.根据权利要求8所述的方法，其中所述表面具有在0.3至0.9的范围内的SEY的值。
14.根据权利要求8所述的方法，其中所述表面具有在0.6至0.8的范围内的SEY的值。
15.根据权利要求8所述的方法，其中所述表面具有等于0.7的SEY的值。
16.根据权利要求1所述的方法，其中所述激光脉冲的脉冲持续时间在200飞秒(fs)至1000皮秒(ps)的范围内。
17.根据权利要求16所述的方法，其中所述激光脉冲的脉冲持续时间在1ps至100ps的范围内。
18.根据权利要求16所述的方法，其中所述激光脉冲的脉冲持续时间在1ps至50ps的范围内。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于敦提大学，未经敦提大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201680046529.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
