[发明专利]可调的远程分解

权利要求书

1.一种蚀刻图案化基板的方法，所述方法包括以下步骤：

将所述图案化基板放置在基板处理腔室的基板处理区域中，其中所述图案化基板包括第一暴露部分与第二暴露部分；

使惰性气体流进远程等离子体系统，所述远程等离子体系统在所述基板处理腔室的外侧且流体地耦接至所述基板处理腔室内的远程腔室区域；

在所述远程等离子体系统中形成远程等离子体以产生第一等离子体流出物；

使所述第一等离子体流出物流进所述远程腔室区域；使氧化前驱物流进所述远程腔室区域，并将所述氧化前驱物与所述第一等离子体流出物组合以产生第二等离子体流出物；以及

用所述第二等离子体流出物蚀刻所述第一暴露部分，其中所述第一暴露部分以第一蚀刻速率蚀刻，且所述第二暴露部分以第二蚀刻速率蚀刻，所述第二蚀刻速率低于所述第一蚀刻速率，且其中在蚀刻所述第一暴露部分的同时，所述远程等离子体系统仅含有惰性气体。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述惰性气体是氩。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述氧化前驱物包括卤素。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述氧化前驱物在进入所述基板处理腔室之前都不在任何远程等离子体中激发。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述第一暴露部分含有不存在于所述第二暴露部分中的至少一种元素。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述第一暴露部分与所述第二暴露部分具有不同的原子组分。

7.如权利要求1所述的方法，其中所述氧化前驱物包括氧。

8.如权利要求1所述的方法，其中所述氧化前驱物包括下述的一者或多者：O₂、O₃、N₂O、H₂O、NO₂和N₂O₂。

9.如权利要求1所述的方法，其中所述基板处理区域内的电子温度在蚀刻暴露的氧化硅部分的操作期间低于0.5eV。

10.如权利要求1所述的方法，其中所述氧化前驱物主要由所述等离子体流出物激发。

11.如权利要求3所述的方法，其中所述卤素包括从由Cl、Cl₂、F、F₂、NF₃、CF₄、HF和XeF₂组成的群组选出的前驱物。

12.如权利要求1所述的方法，其中所述第一蚀刻速率超过所述第二蚀刻速率一倍数，所述倍数为80或更大。