[发明专利]VNAND拉伸厚TEOS氧化物

权利要求书

1.一种用于处理基板的方法，包括以下步骤：

定位具有栅堆栈的基板，所述栅堆栈沉积在所述基板上；

使用第一RF功率及第一处理气体在所述栅堆栈的暴露表面上形成第一氧化层，所述第一处理气体包含TEOS气体与第一含氧气体；

在所述第一氧化层达到了预定厚度之后，使所述第一RF功率斜线上升以在所述第一氧化层上形成初始层；

在所述初始层达到了预定厚度之后，使所述第一RF功率斜线上升同时逐渐减少所述TEOS气体的流动以在所述初始层上形成氧化物的过渡层；以及

使用与所述第一RF功率不同的第二RF功率及第二处理气体在所述过渡层上形成第二氧化层，所述第二处理气体包含硅烷气体与第二含氧气体。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述第一含氧气体和所述第二含氧气体中的每一者包括O₂或N₂O。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述栅堆栈具有阶梯状截面。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述第一含氧气体和所述TEOS气体以第一含氧气体:TEOS气体为约2:1至约6:1的比例提供。

5.如权利要求1所述的方法，其中以约150W至约850W并且在13.56MHz的高频来提供所述第一RF功率。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述第一RF功率是以约100瓦以350kHz运行的低频RF功率与以约300瓦在13.56MHz运行的高频RF功率的组合。

7.如权利要求1所述的方法，其中以约150W至约850W并且在13.56MHz的频率来提供所述第二RF功率。

8.如权利要求1所述的方法，其中所述第一氧化层具有约10000埃至约30000埃的厚度，而所述第二氧化层具有约8000埃至约15000埃的厚度。

9.如权利要求1所述的方法，进一步包括以下步骤：

在形成所述第二氧化层后，使所述基板在约700℃至约850℃的温度下的富含氮的环境中经受热退火处理。

10.一种用于处理基板的方法，包括以下步骤：

在基板上形成具有阶梯状截面的层堆栈；

以第一氧化层覆盖所述层堆栈的暴露表面，所述第一氧化层具有约10000埃至约30000埃的厚度及约80MPa至约300MPa的拉伸应力，所述第一氧化层用以下方式形成：

每分钟约3000至约6500毫克的TEOS气体流率；

约1200sccm至约21000sccm的含氧气体流率；

约1000sccm至约9000sccm的载体气体流率，所述载体气体包含氦或氩；

约150W的在13.56MHz的频率的RF功率；

约350℃至约650℃的腔室温度；及

约2Torr至约14Torr的腔室压力；

在所述第一氧化层达到了预定厚度之后，使所述RF功率斜线上升以在所述第一氧化层上形成初始层；

在所述初始层达到了预定厚度之后，使所述RF功率斜线上升同时逐渐减少所述TEOS气体的流动以在所述初始层上形成氧化物的过渡层；

在所述过渡层上形成具有约8000埃至约15000埃的厚度的第二氧化层，所述第二氧化层用以下方式形成：

约100sccm至约600sccm的硅烷气体流率；

约2500sccm至约8000sccm的含氧气体流率；

约1000sccm至约9000sccm的载体气体流率，所述载体气体包含氦或氩；

约300W的在13.56MHz的频率的RF功率；

约350℃至约650℃的腔室温度；及

约2Torr至约14Torr的腔室压力；及

使所述基板在约700℃至约850℃的温度下的富含氮的环境中经受热退火处理。