[发明专利]超低功率超低噪声传声器在审
| 申请号： | 201680047358.7 | 申请日： | 2016-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN107925823A | 公开（公告）日： | 2018-04-17 |
| 发明（设计）人： | 厄兹·加拜 | 申请（专利权）人： | 怀斯迪斯匹有限公司 |
| 主分类号： | H04R3/06 | 分类号： | H04R3/06;H04R19/01;H03F3/45 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司11290 | 代理人： | 曹正建,陈桂香 |
| 地址： | 以色列*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 功率 噪声 传声器 | ||
1.一种传声器，其包括：
晶体管，其包括JFET晶体管和MOSFET晶体管中的至少一者；
输入阻抗网络，其包括与所述晶体管的栅极端子连接的第一端子；
源极电阻器，其包括与所述晶体管的源极端子连接的第一端子以及与接地端子连接的第二端子；
旁路电容器(CS)，其并联连接到所述源极电阻器；
负载电阻器(RD)，其包括与所述晶体管的漏极端子连接的第一端子；
电荷泵，其用于产生：
低电压(VCC_LOW)，其连接到所述负载电阻器的所述第二端子；和
反相电压(-VEE)，其连接到运算放大器的第一电源节点；所述运算放大器，其包括：
第一输入端子，其通过双向低通滤波器连接到所述晶体管的所述源极端子；
第二输入端子，其连接到参考电压Vref；
第一电源端子，其连接到所述反相电压；
第二电源端子，其连接到主电源电压；和
输出端子，其通过另一低通滤波器连接到所述输入阻抗网络的第二端子；以及
驻极体电容器，其并联连接到所述输入阻抗网络。
2.一种传声器，其包括：
晶体管，其包括JFET晶体管和MOSFET晶体管中的至少一者；
输入阻抗网络，其包括与所述晶体管的栅极连接的第一端子；
源极电阻器，其包括与所述晶体管的源极端子连接的第一端子以及与接地端子连接的第二端子；
旁路电容器(CS)，其并联连接到所述源极电阻器；
负载电阻器(RD)，其包括与所述晶体管的漏极端子连接的第一端子；
电荷泵，其用于产生：
低电压电源VCC_LOW，其连接到所述负载电阻器的第二端子；和
反相电压-VEE，其连接到运算放大器的第一电源端子；
所述运算放大器，其包括：
第一输入端子，其通过双向低通滤波器连接到所述晶体管的所述源极端子；
第二输入端子，其连接到参考电压Vref；
第一电源端子，其连接到所述反相电压；
第二电源端子，其连接到主电源电压；和
输出端子，其通过另一低通滤波器连接到所述输入阻抗网络的第二端子；以及
输入源，其包括：
MEMS电容器，其包括接地的第一端子以及与MEMS偏置网络的第一端子连接的第二端子；
MEMS偏置网络，其包括与偏置电压(VBB)连接的第二端子；和
耦合电容器，其包括与所述MEMS电容器的第二端子连接的第一端子以及与所述晶体管的所述栅极端子连接的第二端子。
3.一种传声器，其包括：
晶体管，其包括JFET晶体管和MOSFET晶体管中的至少一者；
输入阻抗网络，其包括与所述晶体管的栅极端子连接的第一端子；
源极电阻器，其第一端子连接到所述晶体管的所述源极端子，且其第二端子连接到所述接地端子；
旁路电容器(CS)，其并联连接到所述源极电阻器；
负载电阻器(RD)，其包括与所述晶体管的漏极端子连接的第一端子；
电荷泵，其用于产生：
低电压电源(VCC_LOW)，其连接到所述负载电阻器的第二端子；和
反相电压(-VEE)，其连接到运算放大器的第一电源端子；
所述运算放大器，其包括：
第一输入端子，其连接到参考电压；
第二输入端子，其通过差分双向低通滤波器连接到所述负载电阻器；
第一电源端子，其连接到所述反相电压；
第二电源端子，其连接到主电源电压；和
输出端子，其通过另一低通滤波器连接到所述输入阻抗网络的第二端子；以及
输入驻极体电容器源，其并联连接到所述输入阻抗网络。
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