[发明专利]量测方法、辐射源、量测设备及器件制造方法

权利要求书

1.一种测量周期性结构的属性的方法，所述方法包括：

至少第一次用辐射来照射所述周期性结构；

检测被所述周期性结构透射和衍射或者被所述周期性结构反射和衍射的所述辐射；和

基于所测量的辐射的属性确定所述周期性结构的属性，

其中所述辐射由逆康普顿散射产生，所述辐射具有在0.01纳米至125纳米的范围内的第一波长。

2.根据权利要求1所述的方法，其中用使用范围小于10微米束直径的所述辐射来照射所述周期性结构。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述束直径的范围小于5微米。

4.根据权利要求1所述的方法，其中至少第二次照射同一所述周期性结构且检测辐射，用于所述第二次照射的辐射由逆康普顿散射产生且具有在0.1纳米至125纳米的范围内的第二波长。

5.根据权利要求4所述的方法，其中基于所述第一波长和所述第二波长两者的所检测的辐射来确定所述周期性结构的所述属性。

6.根据权利要求1或2所述的方法，其中至少第二次照射同一所述周期性结构或不同的周期性结构且检测辐射，第二次的辐射由逆康普顿散射产生且具有在0.1纳米至125纳米的范围之外的第二波长。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述第二波长小于0.1纳米。

8.根据权利要求6所述的方法，其中所述第二波长大于125纳米。

9.根据权利要求6所述的方法，其中所述第二波长大于200纳米。

10.根据权利要求6所述的方法，其中所述第二波长大于350纳米。

11.根据权利要求4或5所述的方法，其中所述第一次和所述第二次在不到一秒内完成。

12.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中通过将电子束和光子束同时地传递至相互作用点来产生所述辐射。

13.根据权利要求12所述的方法，还包括通过调整所述电子束中的电子的能量来一次或更多次调整所述辐射的所述波长。

14.根据权利要求12所述的方法，其中使用电子枪和线性加速器产生所述电子束。

15.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中在半导体衬底上形成所述周期性结构。

16.根据权利要求15所述的方法，其中所述照射的方向与平行于所述半导体衬底的方向成大于2°的角度。

17.一种用于测量周期性结构的属性的量测设备，所述量测设备包括：

基于逆康普顿散射的辐射源设备，所述辐射源设备包括：电子源和光子源；和控制器，所述控制器用于控制所述电子源和所述光子源以将一个或更多个电子聚束与光子的脉冲同时传递至相互作用点，由此一部分所述光子通过至所述辐射源设备的逆康普顿散射获取额外的能量且由所述辐射源设备输出，其中所述额外的能量能够被控制成使得由所述辐射源设备输出的所述光子具有在0.01纳米至125纳米的范围内的波长；

照射系统，用于将由所述辐射源设备输出的光子在辐射束中传递至所述周期性结构上；和

检测系统，用于在所述光子已经与所述周期性结构相互作用之后检测来自所述周期性结构的经过透射和衍射或者经过反射和衍射的辐射。

18.根据权利要求17所述的量测设备，其中所述辐射束在投影至所述周期性结构上时具有小于10微米的范围。